| Antal på lager: 30 |
N-kanal transistor FDP3632, 57A, 80A, 250uA, 0.009 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V
Antal
Enhedspris
1-4
43.93kr
5-9
40.07kr
10-24
36.59kr
25-49
33.41kr
50+
28.86kr
| Forældet produkt, vil snart blive fjernet fra kataloget. Sidste varer tilgængelige | |
| Ækvivalens tilgængelig | |
| Antal på lager: 5 |
N-kanal transistor FDP3632, 57A, 80A, 250uA, 0.009 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. ID (T=100°C): 57A. ID (T=25°C): 80A. Idss (maks.): 250uA. On-resistance Rds On: 0.009 Ohms. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220AB. Spænding Vds (maks.): 100V. Afløbskildebeskyttelse: ja. Antal terminaler: 3. C (i): 6000pF. Driftstemperatur: -55...+175°C. Funktion: DC/DC spændingsomformer og UPS invertere. GS-beskyttelse: ingen. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. IDss (min): 1uA. Id(imp): 80A. Kanaltype: N. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort. Mængde pr tilfælde: 1. Omkostninger): 820pF. Pd (Strømafledning, maks.) ): 310W. RoHS: ja. Td(fra): 90 ns. Td(on): 30 ns. Teknologi: N-Channel PowerTrench® MOSFET. Trr-diode (min.): 64 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs (th) maks.: 4 v. Vgs (th) min.: 2V. Originalt produkt fra producenten: ON Semiconductor. Antal på lager opdateret den 06/11/2025, 22:14
FDP3632
30 parametre
ID (T=100°C)
57A
ID (T=25°C)
80A
Idss (maks.)
250uA
On-resistance Rds On
0.009 Ohms
Hus
TO-220
Hus (i henhold til datablad)
TO-220AB
Spænding Vds (maks.)
100V
Afløbskildebeskyttelse
ja
Antal terminaler
3
C (i)
6000pF
Driftstemperatur
-55...+175°C
Funktion
DC/DC spændingsomformer og UPS invertere
GS-beskyttelse
ingen
Gate / kilde spænding Vgs
20V
IDss (min)
1uA
Id(imp)
80A
Kanaltype
N
Montering / installation
Gennemgående hulmontering af printkort
Mængde pr tilfælde
1
Omkostninger)
820pF
Pd (Strømafledning, maks.) )
310W
RoHS
ja
Td(fra)
90 ns
Td(on)
30 ns
Teknologi
N-Channel PowerTrench® MOSFET
Trr-diode (min.)
64 ns
Type transistor
MOSFET
Vgs (th) maks.
4 v
Vgs (th) min.
2V
Originalt produkt fra producenten
ON Semiconductor