N-kanal transistor FDS6690A, 11A, 10uA, 9.8m Ohms, SO, SO-8, 30 v

N-kanal transistor FDS6690A, 11A, 10uA, 9.8m Ohms, SO, SO-8, 30 v

Antal
Enhedspris
1-4
9.18kr
5-24
7.58kr
25-49
6.77kr
50+
5.95kr
Antal på lager: 132

N-kanal transistor FDS6690A, 11A, 10uA, 9.8m Ohms, SO, SO-8, 30 v. ID (T=25°C): 11A. Idss (maks.): 10uA. On-resistance Rds On: 9.8m Ohms. Hus: SO. Hus (i henhold til datablad): SO-8. Spænding Vds (maks.): 30 v. Afløbskildebeskyttelse: ja. Antal terminaler: 8:1. C (i): 1205pF. Driftstemperatur: -55...+150°C. Funktion: logisk niveaukontrol. GS-beskyttelse: ingen. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. IDss (min): 1uA. Id(imp): 50A. Kanaltype: N. Konditionering: rulle. Konditioneringsenhed: 2500. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD). Mængde pr tilfælde: 1. Omkostninger): 290pF. Pd (Strømafledning, maks.) ): 2.5W. RoHS: ja. Td(fra): 28 ns. Td(on): 9 ns. Teknologi: PowerTrench MOSFET. Trr-diode (min.): 24 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs (th) maks.: 3V. Vgs (th) min.: 1V. Originalt produkt fra producenten: Fairchild. Antal på lager opdateret den 06/11/2025, 22:14

Teknisk dokumentation (PDF)
FDS6690A
31 parametre
ID (T=25°C)
11A
Idss (maks.)
10uA
On-resistance Rds On
9.8m Ohms
Hus
SO
Hus (i henhold til datablad)
SO-8
Spænding Vds (maks.)
30 v
Afløbskildebeskyttelse
ja
Antal terminaler
8:1
C (i)
1205pF
Driftstemperatur
-55...+150°C
Funktion
logisk niveaukontrol
GS-beskyttelse
ingen
Gate / kilde spænding Vgs
20V
IDss (min)
1uA
Id(imp)
50A
Kanaltype
N
Konditionering
rulle
Konditioneringsenhed
2500
Montering / installation
overflademonteret komponent (SMD)
Mængde pr tilfælde
1
Omkostninger)
290pF
Pd (Strømafledning, maks.) )
2.5W
RoHS
ja
Td(fra)
28 ns
Td(on)
9 ns
Teknologi
PowerTrench MOSFET
Trr-diode (min.)
24 ns
Type transistor
MOSFET
Vgs (th) maks.
3V
Vgs (th) min.
1V
Originalt produkt fra producenten
Fairchild