N-kanal transistor FP25R12W2T4, 25A, andre, andre, 1200V

N-kanal transistor FP25R12W2T4, 25A, andre, andre, 1200V

Antal
Enhedspris
1-1
674.28kr
2-4
654.64kr
5-9
632.82kr
10+
611.00kr
Forældet produkt, vil snart blive fjernet fra kataloget
Udsolgt

N-kanal transistor FP25R12W2T4, 25A, andre, andre, 1200V. Ic(T=100°C): 25A. Hus: andre. Hus (i henhold til datablad): andre. Kollektor/emitterspænding Vceo: 1200V. Antal terminaler: 33dB. Bemærk: 7x IGBT+ CE Diode. C (i): 1.45pF. CE-diode: ja. Dimensioner: 56.7x48x12mm. Driftstemperatur: -40...+125°C. Funktion: ICRM--50A Tp=1mS, Tc=25°C. Germanium diode: ingen. Ic (puls): 50A. Kanaltype: N. Kollektorstrøm: 39A. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 2.25V. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort. Mætningsspænding VCE (sat): 1.85V. Pd (Strømafledning, maks.) ): 175W. Port/emitter spænding VGE: 20V. Port/emitterspænding VGE(th) min.: 5.2V. Port/emitterspænding VGE(th)max.: 6.4V. RoHS: ja. Td(fra): 0.46 ns. Td(on): 0.08 ns. Teknologi: IGBT Hybrid modul. Originalt produkt fra producenten: Eupec/infineon. Antal på lager opdateret den 06/11/2025, 22:14

Teknisk dokumentation (PDF)
FP25R12W2T4
27 parametre
Ic(T=100°C)
25A
Hus
andre
Hus (i henhold til datablad)
andre
Kollektor/emitterspænding Vceo
1200V
Antal terminaler
33dB
Bemærk
7x IGBT+ CE Diode
C (i)
1.45pF
CE-diode
ja
Dimensioner
56.7x48x12mm
Driftstemperatur
-40...+125°C
Funktion
ICRM--50A Tp=1mS, Tc=25°C
Germanium diode
ingen
Ic (puls)
50A
Kanaltype
N
Kollektorstrøm
39A
Maksimal mætningsspænding VCE (sat)
2.25V
Montering / installation
Gennemgående hulmontering af printkort
Mætningsspænding VCE (sat)
1.85V
Pd (Strømafledning, maks.) )
175W
Port/emitter spænding VGE
20V
Port/emitterspænding VGE(th) min.
5.2V
Port/emitterspænding VGE(th)max.
6.4V
RoHS
ja
Td(fra)
0.46 ns
Td(on)
0.08 ns
Teknologi
IGBT Hybrid modul
Originalt produkt fra producenten
Eupec/infineon