N-kanal transistor FQA19N60, 11.7A, 18.5A, 100uA, 0.3 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 600V

N-kanal transistor FQA19N60, 11.7A, 18.5A, 100uA, 0.3 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 600V

Antal
Enhedspris
1-4
53.24kr
5-9
48.40kr
10-24
44.76kr
25+
41.11kr
Forældet produkt, vil snart blive fjernet fra kataloget
Udsolgt

N-kanal transistor FQA19N60, 11.7A, 18.5A, 100uA, 0.3 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 600V. ID (T=100°C): 11.7A. ID (T=25°C): 18.5A. Idss (maks.): 100uA. On-resistance Rds On: 0.3 Ohms. Hus: TO-3PN ( 2-16C1B ). Hus (i henhold til datablad): TO-3PN. Spænding Vds (maks.): 600V. Afløbskildebeskyttelse: diode. Antal terminaler: 3. C (i): 2800pF. Driftstemperatur: -55...+150°C. Funktion: Hurtigt skifte, lav portopladning (typisk 44nC). GS-beskyttelse: ingen. Gate / kilde spænding Vgs: 30 v. IDss (min): 10uA. Id(imp): 74A. Kanaltype: N. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort. Mængde pr tilfælde: 1. Omkostninger): 350pF. Pd (Strømafledning, maks.) ): 300W. RoHS: ja. Td(fra): 150 ns. Td(on): 65 ns. Teknologi: DMOS, QFET. Trr-diode (min.): 420 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs (th) maks.: 5V. Vgs (th) min.: 3V. Originalt produkt fra producenten: Fairchild. Antal på lager opdateret den 07/11/2025, 22:43

Teknisk dokumentation (PDF)
FQA19N60
30 parametre
ID (T=100°C)
11.7A
ID (T=25°C)
18.5A
Idss (maks.)
100uA
On-resistance Rds On
0.3 Ohms
Hus
TO-3PN ( 2-16C1B )
Hus (i henhold til datablad)
TO-3PN
Spænding Vds (maks.)
600V
Afløbskildebeskyttelse
diode
Antal terminaler
3
C (i)
2800pF
Driftstemperatur
-55...+150°C
Funktion
Hurtigt skifte, lav portopladning (typisk 44nC)
GS-beskyttelse
ingen
Gate / kilde spænding Vgs
30 v
IDss (min)
10uA
Id(imp)
74A
Kanaltype
N
Montering / installation
Gennemgående hulmontering af printkort
Mængde pr tilfælde
1
Omkostninger)
350pF
Pd (Strømafledning, maks.) )
300W
RoHS
ja
Td(fra)
150 ns
Td(on)
65 ns
Teknologi
DMOS, QFET
Trr-diode (min.)
420 ns
Type transistor
MOSFET
Vgs (th) maks.
5V
Vgs (th) min.
3V
Originalt produkt fra producenten
Fairchild