N-kanal transistor FQD7N10L, 3.67A, 23.2A, 10uA, 0.258 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 100V. ID (T=100°C): 3.67A. ID (T=25°C): 23.2A. Idss (maks.): 10uA. On-resistance Rds On: 0.258 Ohms. Hus: D-PAK ( TO-252 ). Hus (i henhold til datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Spænding Vds (maks.): 100V. Afløbskildebeskyttelse: ja. Antal terminaler: 2. C (i): 220pF. Driftstemperatur: -55...+150°C. Funktion: Lav portopladning. GS-beskyttelse: ingen. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. IDss (min): 1uA. Id(imp): 5.8A. Kanaltype: N. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD). Mængde pr tilfælde: 1. Mærkning på kabinettet: FQD7N10L. Omkostninger): 55pF. Pd (Strømafledning, maks.) ): 25W. RoHS: ja. Td(fra): 17 ns. Td(on): 9 ns. Teknologi: DMOS, QFET. Trr-diode (min.): 70 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs (th) maks.: 2V. Vgs (th) min.: 1V. Originalt produkt fra producenten: ON Semiconductor. Antal på lager opdateret den 07/11/2025, 22:43