N-kanal transistor FQP13N50C, 8A, 13A, 10uA, 0.39 Ohms, TO-220, TO-220AB, 500V

N-kanal transistor FQP13N50C, 8A, 13A, 10uA, 0.39 Ohms, TO-220, TO-220AB, 500V

Antal
Enhedspris
1-4
50.00kr
5-14
47.01kr
15-29
44.19kr
30-59
41.53kr
60+
36.70kr
Antal på lager: 14

N-kanal transistor FQP13N50C, 8A, 13A, 10uA, 0.39 Ohms, TO-220, TO-220AB, 500V. ID (T=100°C): 8A. ID (T=25°C): 13A. Idss (maks.): 10uA. On-resistance Rds On: 0.39 Ohms. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220AB. Spænding Vds (maks.): 500V. Afløbskildebeskyttelse: diode. Antal terminaler: 3. C (i): 1580pF. Driftstemperatur: -55...+150°C. Funktion: Højhastighedsskift. GS-beskyttelse: ingen. Gate / kilde spænding Vgs: 30 v. IDss (min): 1uA. Id(imp): 52A. Kanaltype: N. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort. Mængde pr tilfælde: 1. Omkostninger): 180pF. Pd (Strømafledning, maks.) ): 195W. RoHS: ja. Spec info: Lav portladning (typisk 43nC). Td(fra): 130 ns. Td(on): 25 ns. Teknologi: N-kanal MOSFET transistor (DMOS, QFET). Trr-diode (min.): 410 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs (th) maks.: 4 v. Vgs (th) min.: 2V. Originalt produkt fra producenten: Fairchild. Antal på lager opdateret den 07/11/2025, 22:43

Teknisk dokumentation (PDF)
FQP13N50C
31 parametre
ID (T=100°C)
8A
ID (T=25°C)
13A
Idss (maks.)
10uA
On-resistance Rds On
0.39 Ohms
Hus
TO-220
Hus (i henhold til datablad)
TO-220AB
Spænding Vds (maks.)
500V
Afløbskildebeskyttelse
diode
Antal terminaler
3
C (i)
1580pF
Driftstemperatur
-55...+150°C
Funktion
Højhastighedsskift
GS-beskyttelse
ingen
Gate / kilde spænding Vgs
30 v
IDss (min)
1uA
Id(imp)
52A
Kanaltype
N
Montering / installation
Gennemgående hulmontering af printkort
Mængde pr tilfælde
1
Omkostninger)
180pF
Pd (Strømafledning, maks.) )
195W
RoHS
ja
Spec info
Lav portladning (typisk 43nC)
Td(fra)
130 ns
Td(on)
25 ns
Teknologi
N-kanal MOSFET transistor (DMOS, QFET)
Trr-diode (min.)
410 ns
Type transistor
MOSFET
Vgs (th) maks.
4 v
Vgs (th) min.
2V
Originalt produkt fra producenten
Fairchild