N-kanal transistor FQP19N10, 13.5A, 19A, 10uA, 0.078 Ohms, TO-220, TO-220, 100V

N-kanal transistor FQP19N10, 13.5A, 19A, 10uA, 0.078 Ohms, TO-220, TO-220, 100V

Antal
Enhedspris
1-4
12.77kr
5-24
10.55kr
25-49
8.91kr
50+
8.05kr
Antal på lager: 20

N-kanal transistor FQP19N10, 13.5A, 19A, 10uA, 0.078 Ohms, TO-220, TO-220, 100V. ID (T=100°C): 13.5A. ID (T=25°C): 19A. Idss (maks.): 10uA. On-resistance Rds On: 0.078 Ohms. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220. Spænding Vds (maks.): 100V. Afløbskildebeskyttelse: diode. Antal terminaler: 3. C (i): 600pF. Driftstemperatur: -55...+175°C. Funktion: Højhastighedsskift. GS-beskyttelse: ingen. Gate / kilde spænding Vgs: 25V. IDss (min): 1uA. Id(imp): 76A. Kanaltype: N. Konditionering: plastrør. Konditioneringsenhed: 50. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort. Mængde pr tilfælde: 1. Omkostninger): 165pF. Pd (Strømafledning, maks.) ): 75W. RoHS: ja. Td(fra): 20 ns. Td(on): 7.5 ns. Teknologi: DMOS, QFET. Trr-diode (min.): 78 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs (th) maks.: 4 v. Vgs (th) min.: 2V. Originalt produkt fra producenten: Fairchild. Antal på lager opdateret den 07/11/2025, 22:43

Teknisk dokumentation (PDF)
FQP19N10
32 parametre
ID (T=100°C)
13.5A
ID (T=25°C)
19A
Idss (maks.)
10uA
On-resistance Rds On
0.078 Ohms
Hus
TO-220
Hus (i henhold til datablad)
TO-220
Spænding Vds (maks.)
100V
Afløbskildebeskyttelse
diode
Antal terminaler
3
C (i)
600pF
Driftstemperatur
-55...+175°C
Funktion
Højhastighedsskift
GS-beskyttelse
ingen
Gate / kilde spænding Vgs
25V
IDss (min)
1uA
Id(imp)
76A
Kanaltype
N
Konditionering
plastrør
Konditioneringsenhed
50
Montering / installation
Gennemgående hulmontering af printkort
Mængde pr tilfælde
1
Omkostninger)
165pF
Pd (Strømafledning, maks.) )
75W
RoHS
ja
Td(fra)
20 ns
Td(on)
7.5 ns
Teknologi
DMOS, QFET
Trr-diode (min.)
78 ns
Type transistor
MOSFET
Vgs (th) maks.
4 v
Vgs (th) min.
2V
Originalt produkt fra producenten
Fairchild