N-kanal transistor FQP33N10, 23A, 33A, 10uA, 0.04 Ohms, TO-220, TO-220, 100V. ID (T=100°C): 23A. ID (T=25°C): 33A. Idss (maks.): 10uA. On-resistance Rds On: 0.04 Ohms. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220. Spænding Vds (maks.): 100V. Afløbskildebeskyttelse: ja. Antal terminaler: 3. C (i): 1150pF. Driftstemperatur: -55...+175°C. Funktion: Hurtigt skifte, lav portopladning. GS-beskyttelse: ingen. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. IDss (min): 1uA. Id(imp): 132A. Kanaltype: N. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort. Mængde pr tilfælde: 1. Omkostninger): 320pF. Pd (Strømafledning, maks.) ): 127W. RoHS: ja. Td(fra): 80 ns. Td(on): 15 ns. Teknologi: DMOS, QFET. Trr-diode (min.): 80 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs (th) maks.: 4 v. Vgs (th) min.: 2V. Originalt produkt fra producenten: ON Semiconductor. Antal på lager opdateret den 07/11/2025, 22:43