N-kanal transistor FQP7N80, 4.2A, 6.6A, 100uA, 1.2 Ohms, TO-220, TO-220, 800V

N-kanal transistor FQP7N80, 4.2A, 6.6A, 100uA, 1.2 Ohms, TO-220, TO-220, 800V

Antal
Enhedspris
1-4
35.57kr
5-24
33.16kr
25-49
31.23kr
50+
29.70kr
Ækvivalens tilgængelig
Antal på lager: 104

N-kanal transistor FQP7N80, 4.2A, 6.6A, 100uA, 1.2 Ohms, TO-220, TO-220, 800V. ID (T=100°C): 4.2A. ID (T=25°C): 6.6A. Idss (maks.): 100uA. On-resistance Rds On: 1.2 Ohms. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220. Spænding Vds (maks.): 800V. Afløbskildebeskyttelse: ja. Antal terminaler: 3. C (i): 1420pF. Driftstemperatur: -55...+150°C. Funktion: Højhastighedsskift. GS-beskyttelse: ingen. Gate / kilde spænding Vgs: 30 v. IDss (min): 10uA. Id(imp): 26.4A. Kanaltype: N. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort. Mængde pr tilfælde: 1. Omkostninger): 150pF. Pd (Strømafledning, maks.) ): 167W. RoHS: ja. Td(fra): 95 ns. Td(on): 35 ns. Teknologi: DMOS, QFET. Trr-diode (min.): 400 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs (th) maks.: 5V. Vgs (th) min.: 3V. Originalt produkt fra producenten: Fairchild. Antal på lager opdateret den 07/11/2025, 22:43

Teknisk dokumentation (PDF)
FQP7N80
30 parametre
ID (T=100°C)
4.2A
ID (T=25°C)
6.6A
Idss (maks.)
100uA
On-resistance Rds On
1.2 Ohms
Hus
TO-220
Hus (i henhold til datablad)
TO-220
Spænding Vds (maks.)
800V
Afløbskildebeskyttelse
ja
Antal terminaler
3
C (i)
1420pF
Driftstemperatur
-55...+150°C
Funktion
Højhastighedsskift
GS-beskyttelse
ingen
Gate / kilde spænding Vgs
30 v
IDss (min)
10uA
Id(imp)
26.4A
Kanaltype
N
Montering / installation
Gennemgående hulmontering af printkort
Mængde pr tilfælde
1
Omkostninger)
150pF
Pd (Strømafledning, maks.) )
167W
RoHS
ja
Td(fra)
95 ns
Td(on)
35 ns
Teknologi
DMOS, QFET
Trr-diode (min.)
400 ns
Type transistor
MOSFET
Vgs (th) maks.
5V
Vgs (th) min.
3V
Originalt produkt fra producenten
Fairchild

Tilsvarende produkter og/eller tilbehør til FQP7N80