N-kanal transistor FQP85N06, 60A, 85A, 10uA, 0.008 Ohms, TO-220, TO-220, 60V

N-kanal transistor FQP85N06, 60A, 85A, 10uA, 0.008 Ohms, TO-220, TO-220, 60V

Antal
Enhedspris
1-4
27.68kr
5-24
25.22kr
25-49
23.21kr
50-99
21.74kr
100+
19.26kr
Antal på lager: 25

N-kanal transistor FQP85N06, 60A, 85A, 10uA, 0.008 Ohms, TO-220, TO-220, 60V. ID (T=100°C): 60A. ID (T=25°C): 85A. Idss (maks.): 10uA. On-resistance Rds On: 0.008 Ohms. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220. Spænding Vds (maks.): 60V. Afløbskildebeskyttelse: diode. Antal terminaler: 3. C (i): 3170pF. Driftstemperatur: -55...+175°C. Funktion: Højhastighedsskift. GS-beskyttelse: ingen. Gate / kilde spænding Vgs: 25V. IDss (min): 1uA. Id(imp): 300A. Kanaltype: N. Konditionering: plastrør. Konditioneringsenhed: 50. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort. Mængde pr tilfælde: 1. Omkostninger): 1150pF. Pd (Strømafledning, maks.) ): 160W. RoHS: ja. Td(fra): 175 ns. Td(on): 40 ns. Teknologi: DMOS, QFET® MOSFET. Trr-diode (min.): 70 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs (th) maks.: 4 v. Vgs (th) min.: 2V. Originalt produkt fra producenten: Fairchild. Antal på lager opdateret den 07/11/2025, 22:43

Teknisk dokumentation (PDF)
FQP85N06
32 parametre
ID (T=100°C)
60A
ID (T=25°C)
85A
Idss (maks.)
10uA
On-resistance Rds On
0.008 Ohms
Hus
TO-220
Hus (i henhold til datablad)
TO-220
Spænding Vds (maks.)
60V
Afløbskildebeskyttelse
diode
Antal terminaler
3
C (i)
3170pF
Driftstemperatur
-55...+175°C
Funktion
Højhastighedsskift
GS-beskyttelse
ingen
Gate / kilde spænding Vgs
25V
IDss (min)
1uA
Id(imp)
300A
Kanaltype
N
Konditionering
plastrør
Konditioneringsenhed
50
Montering / installation
Gennemgående hulmontering af printkort
Mængde pr tilfælde
1
Omkostninger)
1150pF
Pd (Strømafledning, maks.) )
160W
RoHS
ja
Td(fra)
175 ns
Td(on)
40 ns
Teknologi
DMOS, QFET® MOSFET
Trr-diode (min.)
70 ns
Type transistor
MOSFET
Vgs (th) maks.
4 v
Vgs (th) min.
2V
Originalt produkt fra producenten
Fairchild