N-kanal transistor FQPF19N20C, 12.1A, 19A, 100uA, 0.14 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 200V

N-kanal transistor FQPF19N20C, 12.1A, 19A, 100uA, 0.14 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 200V

Antal
Enhedspris
1-4
19.80kr
5-24
16.83kr
25-49
14.81kr
50-99
13.33kr
100+
10.94kr
Antal på lager: 97

N-kanal transistor FQPF19N20C, 12.1A, 19A, 100uA, 0.14 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 200V. ID (T=100°C): 12.1A. ID (T=25°C): 19A. Idss (maks.): 100uA. On-resistance Rds On: 0.14 Ohms. Hus: TO-220FP. Hus (i henhold til datablad): TO-220F. Spænding Vds (maks.): 200V. Afløbskildebeskyttelse: ja. Antal terminaler: 3. C (i): 830pF. Driftstemperatur: -55...+150°C. Funktion: Højhastighedsskift. GS-beskyttelse: ingen. Gate / kilde spænding Vgs: 30 v. IDss (min): 10uA. Id(imp): 76A. Kanaltype: N. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort. Mængde pr tilfælde: 1. Omkostninger): 195pF. Pd (Strømafledning, maks.) ): 43W. Port/kildespænding (fra) min.: 2V. RoHS: ja. Td(fra): 135 ns. Td(on): 15 ns. Teknologi: N-kanal MOSFET transistor (DMOS, QFET). Trr-diode (min.): 208 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs (th) maks.: 4 v. Originalt produkt fra producenten: Fairchild. Antal på lager opdateret den 07/11/2025, 22:43

Teknisk dokumentation (PDF)
FQPF19N20C
30 parametre
ID (T=100°C)
12.1A
ID (T=25°C)
19A
Idss (maks.)
100uA
On-resistance Rds On
0.14 Ohms
Hus
TO-220FP
Hus (i henhold til datablad)
TO-220F
Spænding Vds (maks.)
200V
Afløbskildebeskyttelse
ja
Antal terminaler
3
C (i)
830pF
Driftstemperatur
-55...+150°C
Funktion
Højhastighedsskift
GS-beskyttelse
ingen
Gate / kilde spænding Vgs
30 v
IDss (min)
10uA
Id(imp)
76A
Kanaltype
N
Montering / installation
Gennemgående hulmontering af printkort
Mængde pr tilfælde
1
Omkostninger)
195pF
Pd (Strømafledning, maks.) )
43W
Port/kildespænding (fra) min.
2V
RoHS
ja
Td(fra)
135 ns
Td(on)
15 ns
Teknologi
N-kanal MOSFET transistor (DMOS, QFET)
Trr-diode (min.)
208 ns
Type transistor
MOSFET
Vgs (th) maks.
4 v
Originalt produkt fra producenten
Fairchild