N-kanal transistor FQT1N60CTF, 250uA, 9.3 Ohms, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 600V

N-kanal transistor FQT1N60CTF, 250uA, 9.3 Ohms, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 600V

Antal
Enhedspris
1-4
21.49kr
5-24
20.65kr
25-49
18.09kr
50-99
16.32kr
100+
13.71kr
Antal på lager: 22

N-kanal transistor FQT1N60CTF, 250uA, 9.3 Ohms, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 600V. Idss (maks.): 250uA. On-resistance Rds On: 9.3 Ohms. Hus: SOT-223 ( TO-226 ). Hus (i henhold til datablad): SOT-223. Spænding Vds (maks.): 600V. Antal terminaler: 4. C (i): 130pF. Driftstemperatur: -55...+150°C. GS-beskyttelse: ingen. Gate / kilde spænding Vgs: 30 v. IDss (min): 25uA. Kanaltype: N. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD). Mængde pr tilfælde: 1. Mærkning på kabinettet: FQT1N60C. Omkostninger): 19pF. Pd (Strømafledning, maks.) ): 2.1W. RoHS: ja. Td(fra): 13 ns. Td(on): 7 ns. Trr-diode (min.): 190 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs (th) maks.: 4 v. Vgs (th) min.: 2V. Originalt produkt fra producenten: ON Semiconductor. Antal på lager opdateret den 07/11/2025, 22:43

FQT1N60CTF
25 parametre
Idss (maks.)
250uA
On-resistance Rds On
9.3 Ohms
Hus
SOT-223 ( TO-226 )
Hus (i henhold til datablad)
SOT-223
Spænding Vds (maks.)
600V
Antal terminaler
4
C (i)
130pF
Driftstemperatur
-55...+150°C
GS-beskyttelse
ingen
Gate / kilde spænding Vgs
30 v
IDss (min)
25uA
Kanaltype
N
Montering / installation
overflademonteret komponent (SMD)
Mængde pr tilfælde
1
Mærkning på kabinettet
FQT1N60C
Omkostninger)
19pF
Pd (Strømafledning, maks.) )
2.1W
RoHS
ja
Td(fra)
13 ns
Td(on)
7 ns
Trr-diode (min.)
190 ns
Type transistor
MOSFET
Vgs (th) maks.
4 v
Vgs (th) min.
2V
Originalt produkt fra producenten
ON Semiconductor