N-kanal transistor FS10KM-12, 5A, 10A, 1mA, 0.72 Ohms, TO-220FP, TO-220FN, 600V

N-kanal transistor FS10KM-12, 5A, 10A, 1mA, 0.72 Ohms, TO-220FP, TO-220FN, 600V

Antal
Enhedspris
1-4
18.11kr
5-9
16.11kr
10-24
14.26kr
25-49
13.18kr
50+
11.26kr
Ækvivalens tilgængelig
Antal på lager: 66

N-kanal transistor FS10KM-12, 5A, 10A, 1mA, 0.72 Ohms, TO-220FP, TO-220FN, 600V. ID (T=100°C): 5A. ID (T=25°C): 10A. Idss (maks.): 1mA. On-resistance Rds On: 0.72 Ohms. Hus: TO-220FP. Hus (i henhold til datablad): TO-220FN. Spænding Vds (maks.): 600V. Afløbskildebeskyttelse: ja. C (i): 1500pF. Driftstemperatur: -55...+150°C. Funktion: Switching med høj hastighed. GS-beskyttelse: ja. Gate / kilde spænding Vgs: 30 v. IDss (min): na. Id(imp): 30A. Kanaltype: N. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort. Mængde pr tilfælde: 1. Omkostninger): 170pF. Pd (Strømafledning, maks.) ): 40W. Td(fra): 130 ns. Td(on): 25 ns. Teknologi: Power MOSFET. Type transistor: MOSFET. Vgs (th) maks.: 4 v. Vgs (th) min.: 2V. Originalt produkt fra producenten: Mitsubishi Electric Semiconductor. Antal på lager opdateret den 06/11/2025, 09:45

Teknisk dokumentation (PDF)
FS10KM-12
27 parametre
ID (T=100°C)
5A
ID (T=25°C)
10A
Idss (maks.)
1mA
On-resistance Rds On
0.72 Ohms
Hus
TO-220FP
Hus (i henhold til datablad)
TO-220FN
Spænding Vds (maks.)
600V
Afløbskildebeskyttelse
ja
C (i)
1500pF
Driftstemperatur
-55...+150°C
Funktion
Switching med høj hastighed
GS-beskyttelse
ja
Gate / kilde spænding Vgs
30 v
IDss (min)
na
Id(imp)
30A
Kanaltype
N
Montering / installation
Gennemgående hulmontering af printkort
Mængde pr tilfælde
1
Omkostninger)
170pF
Pd (Strømafledning, maks.) )
40W
Td(fra)
130 ns
Td(on)
25 ns
Teknologi
Power MOSFET
Type transistor
MOSFET
Vgs (th) maks.
4 v
Vgs (th) min.
2V
Originalt produkt fra producenten
Mitsubishi Electric Semiconductor

Tilsvarende produkter og/eller tilbehør til FS10KM-12