N-kanal transistor FS7KM-18A, 7A, 1mA, 1.54 Ohms, TO-220FP, TO-220FN, 900V

N-kanal transistor FS7KM-18A, 7A, 1mA, 1.54 Ohms, TO-220FP, TO-220FN, 900V

Antal
Enhedspris
1-4
44.51kr
5-9
41.22kr
10-24
38.52kr
25-49
36.34kr
50+
32.96kr
Antal på lager: 4

N-kanal transistor FS7KM-18A, 7A, 1mA, 1.54 Ohms, TO-220FP, TO-220FN, 900V. ID (T=25°C): 7A. Idss (maks.): 1mA. On-resistance Rds On: 1.54 Ohms. Hus: TO-220FP. Hus (i henhold til datablad): TO-220FN. Spænding Vds (maks.): 900V. Afløbskildebeskyttelse: diode. Antal terminaler: 3. C (i): 1380pF. Driftstemperatur: -55...+150°C. Funktion: HIGH-SPEED SW.. GS-beskyttelse: ja. IDss (min): 10uA. Id(imp): 21A. Kanaltype: N. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort. Mængde pr tilfælde: 1. Omkostninger): 140pF. Pd (Strømafledning, maks.) ): 40W. Port/emitterspænding VGE(th)max.: 30 v. Td(fra): 180 ns. Td(on): 25 ns. Teknologi: Power MOSFET. Type transistor: MOSFET. Vgs (th) maks.: 4 v. Vgs (th) min.: 2V. Originalt produkt fra producenten: Mitsubishi Electric Semiconductor. Antal på lager opdateret den 07/11/2025, 22:43

Teknisk dokumentation (PDF)
FS7KM-18A
27 parametre
ID (T=25°C)
7A
Idss (maks.)
1mA
On-resistance Rds On
1.54 Ohms
Hus
TO-220FP
Hus (i henhold til datablad)
TO-220FN
Spænding Vds (maks.)
900V
Afløbskildebeskyttelse
diode
Antal terminaler
3
C (i)
1380pF
Driftstemperatur
-55...+150°C
Funktion
HIGH-SPEED SW.
GS-beskyttelse
ja
IDss (min)
10uA
Id(imp)
21A
Kanaltype
N
Montering / installation
Gennemgående hulmontering af printkort
Mængde pr tilfælde
1
Omkostninger)
140pF
Pd (Strømafledning, maks.) )
40W
Port/emitterspænding VGE(th)max.
30 v
Td(fra)
180 ns
Td(on)
25 ns
Teknologi
Power MOSFET
Type transistor
MOSFET
Vgs (th) maks.
4 v
Vgs (th) min.
2V
Originalt produkt fra producenten
Mitsubishi Electric Semiconductor