N-kanal transistor GT30J322, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P( GCE ), 600V. Hus: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Hus (i henhold til datablad): TO-3P( GCE ). Kollektor/emitterspænding Vceo: 600V. Antal terminaler: 3. CE-diode: ja. Driftstemperatur: -40...+150°C. Funktion: Current Resonance Inverter Switching. Germanium diode: ingen. Ic (puls): 100A. Kanaltype: N. Kollektorstrøm: 30A. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 2.1V. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort. Mætningsspænding VCE (sat): 2.1V. Pd (Strømafledning, maks.) ): 75W. RoHS: ja. Spec info: Isoleret gate bipolær transistor (IGBT). Td(fra): 400 ns. Td(on): 30 ns. Originalt produkt fra producenten: Toshiba. Antal på lager opdateret den 07/11/2025, 22:43