N-kanal transistor GT35J321, 18A, TO-3P( N )IS, TO-3P, 600V. Ic(T=100°C): 18A. Hus: TO-3P( N )IS. Hus (i henhold til datablad): TO-3P. Kollektor/emitterspænding Vceo: 600V. Antal terminaler: 3. CE-diode: ja. Funktion: High Power Switching applikationer. Germanium diode: ingen. Ic (puls): 100A. Kanaltype: N. Kollektorstrøm: 37A. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 2.3V. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort. Mætningsspænding VCE (sat): 1.9V. Pd (Strømafledning, maks.) ): 75W. Port/emitter spænding VGE: 25V. RoHS: ja. Spec info: Isoleret gate bipolær transistor (IGBT). Td(fra): 0.51 ns. Td(on): 0.33 ns. Temperatur: +150°C. Originalt produkt fra producenten: Toshiba. Antal på lager opdateret den 07/11/2025, 22:43