N-kanal transistor IGW75N60H3, 75A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V. Ic(T=100°C): 75A. Hus: TO-247. Hus (i henhold til datablad): TO-247 ( AC ). Kollektor/emitterspænding Vceo: 600V. Antal terminaler: 3. C (i): 4620pF. CE-diode: ingen. Driftstemperatur: -40...+175°C. Funktion: Meget lav VCEsat. Germanium diode: ingen. Ic (puls): 225A. Kanaltype: N. Kollektorstrøm: 140A. Konditionering: plastrør. Konditioneringsenhed: 25. Leveringstid: KB. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 2.25V. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort. Mærkning på kabinettet: G75H603. Mætningsspænding VCE (sat): 1.85V. Omkostninger): 240pF. Pd (Strømafledning, maks.) ): 428W. Port/emitter spænding VGE: 20V. Port/emitterspænding VGE(th) min.: 4.1V. Port/emitterspænding VGE(th)max.: 5.7V. RoHS: ja. Spec info: Trench and Fieldstop teknologi IGBT transistor. Td(fra): 265 ns. Td(on): 31 ns. Originalt produkt fra producenten: Infineon Technologies. Antal på lager opdateret den 07/11/2025, 22:43