N-kanal transistor IHW15N120R3, 15A, TO-247, TO-247AC, 1200V

N-kanal transistor IHW15N120R3, 15A, TO-247, TO-247AC, 1200V

Antal
Enhedspris
1-4
50.50kr
5-14
47.27kr
15-29
43.88kr
30-59
41.14kr
60+
35.21kr
Antal på lager: 22

N-kanal transistor IHW15N120R3, 15A, TO-247, TO-247AC, 1200V. Ic(T=100°C): 15A. Hus: TO-247. Hus (i henhold til datablad): TO-247AC. Kollektor/emitterspænding Vceo: 1200V. Antal terminaler: 3. C (i): 1165pF. CE-diode: ja. Driftstemperatur: -40...+175°C. Funktion: Induktiv madlavning. Germanium diode: ingen. Ic (puls): 45A. Kanaltype: N. Kollektorstrøm: 30A. Konditionering: plastrør. Konditioneringsenhed: 30. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 1.75V. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort. Mærkning på kabinettet: H15R1203. Mætningsspænding VCE (sat): 1.48V. Omkostninger): 40pF. Pd (Strømafledning, maks.) ): 254W. Port/emitter spænding VGE: 20V. Port/emitterspænding VGE(th) min.: 5.1V. Port/emitterspænding VGE(th)max.: 6.4V. RoHS: ja. Spec info: Reverse conducting IGBT with monolithic body diode. Td(fra): 300 ns. Originalt produkt fra producenten: Infineon Technologies. Antal på lager opdateret den 07/11/2025, 22:43

Teknisk dokumentation (PDF)
IHW15N120R3
28 parametre
Ic(T=100°C)
15A
Hus
TO-247
Hus (i henhold til datablad)
TO-247AC
Kollektor/emitterspænding Vceo
1200V
Antal terminaler
3
C (i)
1165pF
CE-diode
ja
Driftstemperatur
-40...+175°C
Funktion
Induktiv madlavning
Germanium diode
ingen
Ic (puls)
45A
Kanaltype
N
Kollektorstrøm
30A
Konditionering
plastrør
Konditioneringsenhed
30
Maksimal mætningsspænding VCE (sat)
1.75V
Montering / installation
Gennemgående hulmontering af printkort
Mærkning på kabinettet
H15R1203
Mætningsspænding VCE (sat)
1.48V
Omkostninger)
40pF
Pd (Strømafledning, maks.) )
254W
Port/emitter spænding VGE
20V
Port/emitterspænding VGE(th) min.
5.1V
Port/emitterspænding VGE(th)max.
6.4V
RoHS
ja
Spec info
Reverse conducting IGBT with monolithic body diode
Td(fra)
300 ns
Originalt produkt fra producenten
Infineon Technologies