N-kanal transistor IHW20N135R3, 20A, TO-247, TO-247-3, 1350V

N-kanal transistor IHW20N135R3, 20A, TO-247, TO-247-3, 1350V

Antal
Enhedspris
1-4
48.19kr
5-14
42.68kr
15-29
39.01kr
30-59
36.13kr
60+
32.14kr
Antal på lager: 16

N-kanal transistor IHW20N135R3, 20A, TO-247, TO-247-3, 1350V. Ic(T=100°C): 20A. Hus: TO-247. Hus (i henhold til datablad): TO-247-3. Kollektor/emitterspænding Vceo: 1350V. Antal terminaler: 3. C (i): 1500pF. CE-diode: ja. Driftstemperatur: -40...+175°C. Funktion: Inductive?cooking. Germanium diode: ingen. Ic (puls): 60A. Kanaltype: N. Kollektorstrøm: 40A. Konditionering: plastrør. Konditioneringsenhed: 30. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 1.8V. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort. Mærkning på kabinettet: H20R1353. Mætningsspænding VCE (sat): 1.6V. Omkostninger): 55pF. Pd (Strømafledning, maks.) ): 310W. Port/emitter spænding VGE: 20V. Port/emitterspænding VGE(th) min.: 5.1V. Port/emitterspænding VGE(th)max.: 6.4V. RoHS: ja. Spec info: Reverse conducting IGBT with monolithic body diode. Td(fra): 405 ns. Td(on): 335 ns. Originalt produkt fra producenten: Infineon Technologies. Antal på lager opdateret den 07/11/2025, 22:43

Teknisk dokumentation (PDF)
IHW20N135R3
29 parametre
Ic(T=100°C)
20A
Hus
TO-247
Hus (i henhold til datablad)
TO-247-3
Kollektor/emitterspænding Vceo
1350V
Antal terminaler
3
C (i)
1500pF
CE-diode
ja
Driftstemperatur
-40...+175°C
Funktion
Inductive?cooking
Germanium diode
ingen
Ic (puls)
60A
Kanaltype
N
Kollektorstrøm
40A
Konditionering
plastrør
Konditioneringsenhed
30
Maksimal mætningsspænding VCE (sat)
1.8V
Montering / installation
Gennemgående hulmontering af printkort
Mærkning på kabinettet
H20R1353
Mætningsspænding VCE (sat)
1.6V
Omkostninger)
55pF
Pd (Strømafledning, maks.) )
310W
Port/emitter spænding VGE
20V
Port/emitterspænding VGE(th) min.
5.1V
Port/emitterspænding VGE(th)max.
6.4V
RoHS
ja
Spec info
Reverse conducting IGBT with monolithic body diode
Td(fra)
405 ns
Td(on)
335 ns
Originalt produkt fra producenten
Infineon Technologies