N-kanal transistor IHW20T120, 20A, TO-247, TO-247AC, 1200V. Ic(T=100°C): 20A. Hus: TO-247. Hus (i henhold til datablad): TO-247AC. Kollektor/emitterspænding Vceo: 1200V. Antal terminaler: 3. C (i): 1460pF. CE-diode: ja. Driftstemperatur: -40...+150°C. Funktion: Soft Switching Applications. Germanium diode: ingen. Ic (puls): 60A. Kanaltype: N. Kollektorstrøm: 40A. Konditionering: plastrør. Konditioneringsenhed: 30. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 2.2V. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort. Mærkning på kabinettet: H20T120. Mætningsspænding VCE (sat): 1.7V. Omkostninger): 78pF. Pd (Strømafledning, maks.) ): 178W. Port/emitter spænding VGE: 20V. Port/emitterspænding VGE(th) min.: 5V. Port/emitterspænding VGE(th)max.: 6.5V. RoHS: ja. Td(fra): 560 ns. Td(on): 50 ns. Teknologi: Trench and Fieldstop teknologi IGBT transistor. Originalt produkt fra producenten: Infineon Technologies. Antal på lager opdateret den 07/11/2025, 22:43