N-kanal transistor IHW30N135R5XKSA1, 30A, TO-247, PG-TO247-3, 1350V

N-kanal transistor IHW30N135R5XKSA1, 30A, TO-247, PG-TO247-3, 1350V

Antal
Enhedspris
1-4
60.50kr
5-14
53.62kr
15-29
48.68kr
30-59
45.07kr
60+
40.08kr
Forældet produkt, vil snart blive fjernet fra kataloget. Sidste varer tilgængelige
Antal på lager: 28

N-kanal transistor IHW30N135R5XKSA1, 30A, TO-247, PG-TO247-3, 1350V. Ic(T=100°C): 30A. Hus: TO-247. Hus (i henhold til datablad): PG-TO247-3. Kollektor/emitterspænding Vceo: 1350V. Antal terminaler: 3. C (i): 1810pF. CE-diode: ja. Driftstemperatur: -40...+175°C. Funktion: Induktiv madlavning, mikroovne. Germanium diode: ingen. Ic (puls): 90A. Kanaltype: N. Kollektorstrøm: 60A. Konditionering: plastrør. Konditioneringsenhed: 30. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 1.95V. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort. Mærkning på kabinettet: H30PR5. Mætningsspænding VCE (sat): 1.65V. Omkostninger): 50pF. Pd (Strømafledning, maks.) ): 330W. Port/emitter spænding VGE: 20V. Port/emitterspænding VGE(th) min.: 5.1V. Port/emitterspænding VGE(th)max.: 6.4V. RoHS: ja. Spec info: Reverse conducting IGBT with monolithic body diode. Td(fra): 310 ns. Originalt produkt fra producenten: Infineon Technologies. Antal på lager opdateret den 07/11/2025, 22:43

IHW30N135R5XKSA1
28 parametre
Ic(T=100°C)
30A
Hus
TO-247
Hus (i henhold til datablad)
PG-TO247-3
Kollektor/emitterspænding Vceo
1350V
Antal terminaler
3
C (i)
1810pF
CE-diode
ja
Driftstemperatur
-40...+175°C
Funktion
Induktiv madlavning, mikroovne
Germanium diode
ingen
Ic (puls)
90A
Kanaltype
N
Kollektorstrøm
60A
Konditionering
plastrør
Konditioneringsenhed
30
Maksimal mætningsspænding VCE (sat)
1.95V
Montering / installation
Gennemgående hulmontering af printkort
Mærkning på kabinettet
H30PR5
Mætningsspænding VCE (sat)
1.65V
Omkostninger)
50pF
Pd (Strømafledning, maks.) )
330W
Port/emitter spænding VGE
20V
Port/emitterspænding VGE(th) min.
5.1V
Port/emitterspænding VGE(th)max.
6.4V
RoHS
ja
Spec info
Reverse conducting IGBT with monolithic body diode
Td(fra)
310 ns
Originalt produkt fra producenten
Infineon Technologies