N-kanal transistor IKW25T120, 25A, TO-247, TO-247 ( AC ), 1200V. Ic(T=100°C): 25A. Hus: TO-247. Hus (i henhold til datablad): TO-247 ( AC ). Kollektor/emitterspænding Vceo: 1200V. Antal terminaler: 3. C (i): 1860pF. CE-diode: ja. Driftstemperatur: -40...+175°C. Funktion: Trench and Fieldstop teknologi IGBT transistor. Germanium diode: ingen. Ic (puls): 75A. Kanaltype: N. Kollektorstrøm: 50A. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 2.2V. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort. Mærkning på kabinettet: K25T120. Mætningsspænding VCE (sat): 1.7V. Omkostninger): 96pF. Pd (Strømafledning, maks.) ): 190W. Port/emitter spænding VGE: 20V. Port/emitterspænding VGE(th) min.: 5V. Port/emitterspænding VGE(th)max.: 6.5V. RoHS: ja. Td(fra): 560 ns. Td(on): 50 ns. Trr-diode (min.): 200 ns. Originalt produkt fra producenten: Infineon Technologies. Antal på lager opdateret den 07/11/2025, 22:43