N-kanal transistor IKW30N60H3, 30A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V. Ic(T=100°C): 30A. Hus: TO-247. Hus (i henhold til datablad): TO-247 ( AC ). Kollektor/emitterspænding Vceo: 600V. Antal terminaler: 3. C (i): 1630pF. CE-diode: ja. Driftstemperatur: -40...+175°C. Funktion: High Speed Switching, Very Low VCEsat. Germanium diode: ingen. Ic (puls): 60.4k Ohms. Kanaltype: N. Kollektorstrøm: 60A. Konditionering: plastrør. Konditioneringsenhed: 30. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 2.5V. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort. Mærkning på kabinettet: K30H603. Mætningsspænding VCE (sat): 1.95V. Omkostninger): 107pF. Pd (Strømafledning, maks.) ): 187W. Port/emitter spænding VGE: 20V. Port/emitterspænding VGE(th) min.: 4.1V. Port/emitterspænding VGE(th)max.: 5.7V. RoHS: ja. Spec info: Trench and Fieldstop teknologi IGBT transistor. Td(fra): 207 ns. Td(on): 21 ns. Trr-diode (min.): 117 ns. Originalt produkt fra producenten: Infineon Technologies. Antal på lager opdateret den 07/11/2025, 22:43