N-kanal transistor IKW50N60H3, 50A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V. Ic(T=100°C): 50A. Hus: TO-247. Hus (i henhold til datablad): TO-247 ( AC ). Kollektor/emitterspænding Vceo: 600V. Antal terminaler: 3. C (i): 116pF. CE-diode: ja. Diode tærskelspænding: 1.65V. Driftstemperatur: -40...+175°C. Funktion: High Speed Switching, Very Low VCEsat. Germanium diode: ingen. Ic (puls): 200A. Kanaltype: N. Kollektorstrøm: 100A. Konditionering: plastrør. Konditioneringsenhed: 30. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 2.3V. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort. Mærkning på kabinettet: K50H603. Mætningsspænding VCE (sat): 1.85V. Omkostninger): 2960pF. Pd (Strømafledning, maks.) ): 333W. Port/emitter spænding VGE: 20V. Port/emitterspænding VGE(th) min.: 4.1V. Port/emitterspænding VGE(th)max.: 5.7V. RoHS: ja. Spec info: Trench and Fieldstop teknologi IGBT transistor. Td(fra): 235 ns. Td(on): 23 ns. Trr-diode (min.): 130 ns. Originalt produkt fra producenten: Infineon Technologies. Antal på lager opdateret den 07/11/2025, 22:43