N-kanal transistor IPA60R600E6, 4.6A, 7.3A, 10uA, 0.54 Ohms, TO-220FP, TO-220FP-3, 650V

N-kanal transistor IPA60R600E6, 4.6A, 7.3A, 10uA, 0.54 Ohms, TO-220FP, TO-220FP-3, 650V

Antal
Enhedspris
1-4
24.01kr
5-24
21.29kr
25-49
19.48kr
50-99
17.78kr
100+
15.30kr
Forældet produkt, vil snart blive fjernet fra kataloget. Sidste varer tilgængelige
Antal på lager: 1

N-kanal transistor IPA60R600E6, 4.6A, 7.3A, 10uA, 0.54 Ohms, TO-220FP, TO-220FP-3, 650V. ID (T=100°C): 4.6A. ID (T=25°C): 7.3A. Idss (maks.): 10uA. On-resistance Rds On: 0.54 Ohms. Hus: TO-220FP. Hus (i henhold til datablad): TO-220FP-3. Spænding Vds (maks.): 650V. Afløbskildebeskyttelse: ja. Antal terminaler: 3. Bemærk: fuldstændigt isoleret hus (2500VAC/60s). C (i): 440pF. Driftstemperatur: -55...+150°C. Funktion: ID pulse 19A. GS-beskyttelse: ingen. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. IDss (min): 1uA. Id(imp): 19A. Kanaltype: N. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort. Mængde pr tilfælde: 1. Mærkning på kabinettet: 6R600E6. Omkostninger): 30pF. Pd (Strømafledning, maks.) ): 28W. RoHS: ja. Td(fra): 58 ns. Td(on): 10 ns. Teknologi: Cool Mos E6 POWER trafnsistor. Trr-diode (min.): 250 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs (th) maks.: 3.5V. Vgs (th) min.: 2.5V. Originalt produkt fra producenten: Infineon Technologies. Antal på lager opdateret den 07/11/2025, 22:43

Teknisk dokumentation (PDF)
IPA60R600E6
32 parametre
ID (T=100°C)
4.6A
ID (T=25°C)
7.3A
Idss (maks.)
10uA
On-resistance Rds On
0.54 Ohms
Hus
TO-220FP
Hus (i henhold til datablad)
TO-220FP-3
Spænding Vds (maks.)
650V
Afløbskildebeskyttelse
ja
Antal terminaler
3
Bemærk
fuldstændigt isoleret hus (2500VAC/60s)
C (i)
440pF
Driftstemperatur
-55...+150°C
Funktion
ID pulse 19A
GS-beskyttelse
ingen
Gate / kilde spænding Vgs
20V
IDss (min)
1uA
Id(imp)
19A
Kanaltype
N
Montering / installation
Gennemgående hulmontering af printkort
Mængde pr tilfælde
1
Mærkning på kabinettet
6R600E6
Omkostninger)
30pF
Pd (Strømafledning, maks.) )
28W
RoHS
ja
Td(fra)
58 ns
Td(on)
10 ns
Teknologi
Cool Mos E6 POWER trafnsistor
Trr-diode (min.)
250 ns
Type transistor
MOSFET
Vgs (th) maks.
3.5V
Vgs (th) min.
2.5V
Originalt produkt fra producenten
Infineon Technologies