N-kanal transistor IPB014N06NATMA1, 2.1M Ohms, D2PAK ( TO-263 ), TO263-7. On-resistance Rds On: 2.1M Ohms. Hus: D2PAK ( TO-263 ). Hus (i henhold til datablad): TO263-7. Driftstemperatur: -55...+175°C. Kanaltype: N. Konditionering: rulle. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD). Mængde pr tilfælde: 1. Pd (Strømafledning, maks.) ): 214W. RoHS: ja. Teknologi: OptiMOS Power. Type transistor: MOSFET. Originalt produkt fra producenten: Infineon Technologies. Antal på lager opdateret den 07/11/2025, 22:43