N-kanal transistor IPB80N03S4L-02, 80A, 80A, 1uA, 2.4M Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 30 v. ID (T=100°C): 80A. ID (T=25°C): 80A. Idss (maks.): 1uA. On-resistance Rds On: 2.4M Ohms. Hus: D2PAK ( TO-263 ). Hus (i henhold til datablad): D2PAK ( TO-263 ). Spænding Vds (maks.): 30 v. Afløbskildebeskyttelse: diode. Antal terminaler: 2. C (i): 7500pF. Driftstemperatur: -55...+175°C. Funktion: Automotive AEC Q101 kvalificeret. GS-beskyttelse: ingen. IDss (min): 0.01uA. Id(imp): 320A. Kanaltype: N. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD). Mængde pr tilfælde: 1. Mærkning på kabinettet: 4N03L02. Omkostninger): 1900pF. Pd (Strømafledning, maks.) ): 136W. RoHS: ja. Spec info: Ultra lav modstandsdygtighed. Td(fra): 62 ns. Td(on): 14 ns. Teknologi: effekt MOSFET transistor. Trr-diode (min.): 120ns. Type transistor: MOSFET. Vgs (th) maks.: 2.2V. Vgs (th) min.: 1V. Originalt produkt fra producenten: Infineon Technologies. Antal på lager opdateret den 07/11/2025, 22:43