N-kanal transistor IPB80N06S2-09, 80A, 80A, 100uA, 7.6m Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 55V. ID (T=100°C): 80A. ID (T=25°C): 80A. Idss (maks.): 100uA. On-resistance Rds On: 7.6m Ohms. Hus: D2PAK ( TO-263 ). Hus (i henhold til datablad): D2PAK ( TO-263 ). Spænding Vds (maks.): 55V. Afløbskildebeskyttelse: ja. Antal terminaler: 2. C (i): 2360pF. Driftstemperatur: -55...+175°C. Funktion: Automotive AEC Q101 kvalificeret. GS-beskyttelse: ingen. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. IDss (min): 0.01uA. Id(imp): 320A. Kanaltype: N. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD). Mængde pr tilfælde: 1. Mærkning på kabinettet: 2N0609. Omkostninger): 610pF. Pd (Strømafledning, maks.) ): 190W. RoHS: ja. Spec info: Ultra lav modstandsdygtighed. Td(fra): 39 ns. Td(on): 14 ns. Teknologi: MOSFET transistor. Trr-diode (min.): 50 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs (th) maks.: 4 v. Vgs (th) min.: 2.1V. Originalt produkt fra producenten: Infineon Technologies. Antal på lager opdateret den 07/11/2025, 22:43