N-kanal transistor IPD50N03S2L-06, 50A, 50A, 27uA, 7.6m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), PG-TO252-3-11 ( TO252 ) ( DPAK ) ( SOT428 ), 30 v. ID (T=100°C): 50A. ID (T=25°C): 50A. Idss (maks.): 27uA. On-resistance Rds On: 7.6m Ohms. Hus: D-PAK ( TO-252 ). Hus (i henhold til datablad): PG-TO252-3-11 ( TO252 ) ( DPAK ) ( SOT428 ). Spænding Vds (maks.): 30 v. Afløbskildebeskyttelse: ja. Antal terminaler: 2. C (i): 1900pF. Driftstemperatur: -55...+175°C. Funktion: Logic Level, Enhancement mode. GS-beskyttelse: ingen. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. IDss (min): 0.01uA. Id(imp): 200A. Kanaltype: N. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD). Mængde pr tilfælde: 1. Mærkning på kabinettet: PN03L06. Omkostninger): 760pF. Pd (Strømafledning, maks.) ): 136W. RoHS: ja. Td(fra): 40 ns. Td(on): 10 ns. Teknologi: OptiMOS® Power-Transistor. Trr-diode (min.): 40 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs (th) maks.: 2V. Vgs (th) min.: 1.2V. Originalt produkt fra producenten: Infineon Technologies. Antal på lager opdateret den 07/11/2025, 22:43