N-kanal transistor IPN70R600P7SATMA1, 6m Ohms, PG-SOT223
Antal
Enhedspris
1-9
14.32kr
10-24
13.09kr
25-49
12.37kr
50-99
11.68kr
100+
10.30kr
| Antal på lager: 21 |
N-kanal transistor IPN70R600P7SATMA1, 6m Ohms, PG-SOT223. On-resistance Rds On: 6m Ohms. Hus (i henhold til datablad): PG-SOT223. Driftstemperatur: -40...+150°C. Kanaltype: N. Konditionering: rulle. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD). Mængde pr tilfælde: 1. Pd (Strømafledning, maks.) ): 6.9W. RoHS: ja. Type transistor: MOSFET. Originalt produkt fra producenten: Infineon Technologies. Antal på lager opdateret den 07/11/2025, 22:43
IPN70R600P7SATMA1
11 parametre
On-resistance Rds On
6m Ohms
Hus (i henhold til datablad)
PG-SOT223
Driftstemperatur
-40...+150°C
Kanaltype
N
Konditionering
rulle
Montering / installation
overflademonteret komponent (SMD)
Mængde pr tilfælde
1
Pd (Strømafledning, maks.) )
6.9W
RoHS
ja
Type transistor
MOSFET
Originalt produkt fra producenten
Infineon Technologies