N-kanal transistor IRC640, 11A, 18A, 250uA, 0.18 Ohms, TO-220FP, HexSense TO-220F-5, 200V

N-kanal transistor IRC640, 11A, 18A, 250uA, 0.18 Ohms, TO-220FP, HexSense TO-220F-5, 200V

Antal
Enhedspris
1-4
34.80kr
5-24
30.79kr
25-49
28.14kr
50+
25.83kr
Antal på lager: 11

N-kanal transistor IRC640, 11A, 18A, 250uA, 0.18 Ohms, TO-220FP, HexSense TO-220F-5, 200V. ID (T=100°C): 11A. ID (T=25°C): 18A. Idss (maks.): 250uA. On-resistance Rds On: 0.18 Ohms. Hus: TO-220FP. Hus (i henhold til datablad): HexSense TO-220F-5. Spænding Vds (maks.): 200V. Afløbskildebeskyttelse: zener diode. Antal terminaler: 5. C (i): 130pF. Driftstemperatur: -55...+150°C. Funktion: Single FET, Dual Source. GS-beskyttelse: ingen. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. IDss (min): 25uA. Id(imp): 72A. Kanaltype: N. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort. Mængde pr tilfælde: 1. Omkostninger): 430pF. Pd (Strømafledning, maks.) ): 125W. RoHS: ja. Td(fra): 45 ns. Td(on): 14 ns. Teknologi: HEXFET Power MOSFET. Trr-diode (min.): 300 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs (th) maks.: 4 v. Vgs (th) min.: 2V. Originalt produkt fra producenten: International Rectifier. Antal på lager opdateret den 07/11/2025, 22:43

Teknisk dokumentation (PDF)
IRC640
30 parametre
ID (T=100°C)
11A
ID (T=25°C)
18A
Idss (maks.)
250uA
On-resistance Rds On
0.18 Ohms
Hus
TO-220FP
Hus (i henhold til datablad)
HexSense TO-220F-5
Spænding Vds (maks.)
200V
Afløbskildebeskyttelse
zener diode
Antal terminaler
5
C (i)
130pF
Driftstemperatur
-55...+150°C
Funktion
Single FET, Dual Source
GS-beskyttelse
ingen
Gate / kilde spænding Vgs
20V
IDss (min)
25uA
Id(imp)
72A
Kanaltype
N
Montering / installation
Gennemgående hulmontering af printkort
Mængde pr tilfælde
1
Omkostninger)
430pF
Pd (Strømafledning, maks.) )
125W
RoHS
ja
Td(fra)
45 ns
Td(on)
14 ns
Teknologi
HEXFET Power MOSFET
Trr-diode (min.)
300 ns
Type transistor
MOSFET
Vgs (th) maks.
4 v
Vgs (th) min.
2V
Originalt produkt fra producenten
International Rectifier