N-kanal transistor IRF1010E, 59A, 83A, 250uA, 0.12 Ohms, TO-220, TO-220AB, 60V. ID (T=100°C): 59A. ID (T=25°C): 83A. Idss (maks.): 250uA. On-resistance Rds On: 0.12 Ohms. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220AB. Spænding Vds (maks.): 60V. Afløbskildebeskyttelse: ja. Antal terminaler: 3. C (i): 2800pF. Driftstemperatur: -55...+175°C. Funktion: Hurtig omskiftning, ultra lav tænd-modstand. GS-beskyttelse: ingen. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. IDss (min): 25uA. Id(imp): 330A. Kanaltype: N. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort. Mængde pr tilfælde: 1. Omkostninger): 880pF. Pd (Strømafledning, maks.) ): 200W. RoHS: ja. Td(fra): 41 ns. Td(on): 12 ns. Teknologi: HEXFET Power MOSFET. Trr-diode (min.): 70 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs (th) maks.: 4 v. Vgs (th) min.: 2V. Originalt produkt fra producenten: International Rectifier. Antal på lager opdateret den 07/11/2025, 22:43