N-kanal transistor IRF1404, TO-220, 115A, 162A, 250uA, 3.5m Ohms, TO-220AB, 40V

N-kanal transistor IRF1404, TO-220, 115A, 162A, 250uA, 3.5m Ohms, TO-220AB, 40V

Antal
Enhedspris
1-4
19.19kr
5-24
16.73kr
25-49
15.05kr
50-99
13.77kr
100+
12.10kr
+20 ekstra varer tilgængelige på lager (leveres inden for 4 timer). Kontakt os for priser og tilgængelighed!
Antal på lager: 105

N-kanal transistor IRF1404, TO-220, 115A, 162A, 250uA, 3.5m Ohms, TO-220AB, 40V. Hus: TO-220. ID (T=100°C): 115A. ID (T=25°C): 162A. Idss (maks.): 250uA. On-resistance Rds On: 3.5m Ohms. Hus (i henhold til datablad): TO-220AB. Spænding Vds (maks.): 40V. Afløbskildebeskyttelse: ja. Antal terminaler: 3. Boliger termisk modstand: 750mK/W. C (i): 7360pF. Driftstemperatur: -55...+175°C. Drænkildespænding: 40V. Effekt: 200W. Funktion: AUTOMOTIVE MOSFET. GS-beskyttelse: ingen. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. Gate-source spænding: 20V, ±20V. IDss (min): 20uA. Id(imp): 650A. Kanaltype: N. Konditionering: tubus. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort. Mængde pr tilfælde: 1. Omkostninger): 1680pF. Pd (Strømafledning, maks.) ): 200W. Polaritet: unipolar. RoHS: ja. Td(fra): 72 ns. Td(on): 17 ns. Teknologi: HEXFET Power MOSFET. Trr-diode (min.): 71 ns. Type transistor: MOSFET. Tøm strøm: 202A. Vgs (th) maks.: 4 v. Vgs (th) min.: 2V. Originalt produkt fra producenten: International Rectifier. Antal på lager opdateret den 01/01/2026, 17:39

Teknisk dokumentation (PDF)
IRF1404
37 parametre
Hus
TO-220
ID (T=100°C)
115A
ID (T=25°C)
162A
Idss (maks.)
250uA
On-resistance Rds On
3.5m Ohms
Hus (i henhold til datablad)
TO-220AB
Spænding Vds (maks.)
40V
Afløbskildebeskyttelse
ja
Antal terminaler
3
Boliger termisk modstand
750mK/W
C (i)
7360pF
Driftstemperatur
-55...+175°C
Drænkildespænding
40V
Effekt
200W
Funktion
AUTOMOTIVE MOSFET
GS-beskyttelse
ingen
Gate / kilde spænding Vgs
20V
Gate-source spænding
20V, ±20V
IDss (min)
20uA
Id(imp)
650A
Kanaltype
N
Konditionering
tubus
Montering / installation
Gennemgående hulmontering af printkort
Mængde pr tilfælde
1
Omkostninger)
1680pF
Pd (Strømafledning, maks.) )
200W
Polaritet
unipolar
RoHS
ja
Td(fra)
72 ns
Td(on)
17 ns
Teknologi
HEXFET Power MOSFET
Trr-diode (min.)
71 ns
Type transistor
MOSFET
Tøm strøm
202A
Vgs (th) maks.
4 v
Vgs (th) min.
2V
Originalt produkt fra producenten
International Rectifier