N-kanal transistor IRF1404S, 130A, 190A, 250uA, 2.7M Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 40V

N-kanal transistor IRF1404S, 130A, 190A, 250uA, 2.7M Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 40V

Antal
Enhedspris
1-4
39.32kr
5-9
34.77kr
10-24
31.66kr
25-49
29.82kr
50+
26.54kr
Antal på lager: 15

N-kanal transistor IRF1404S, 130A, 190A, 250uA, 2.7M Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 40V. ID (T=100°C): 130A. ID (T=25°C): 190A. Idss (maks.): 250uA. On-resistance Rds On: 2.7M Ohms. Hus: D2PAK ( TO-263 ). Hus (i henhold til datablad): D2PAK ( TO-263 ). Spænding Vds (maks.): 40V. Afløbskildebeskyttelse: ja. Antal terminaler: 3. C (i): 4340pF. Driftstemperatur: -55...+175°C. Funktion: AUTOMOTIVE MOSFET. GS-beskyttelse: ingen. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. IDss (min): 20uA. Id(imp): 750A. Kanaltype: N. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD). Mængde pr tilfælde: 1. Omkostninger): 1030pF. Pd (Strømafledning, maks.) ): 220W. RoHS: ja. Td(fra): 36ns. Td(on): 18 ns. Teknologi: HEXFET Power MOSFET. Trr-diode (min.): 28 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs (th) maks.: 4 v. Vgs (th) min.: 2V. Originalt produkt fra producenten: International Rectifier. Antal på lager opdateret den 07/11/2025, 22:43

Teknisk dokumentation (PDF)
IRF1404S
30 parametre
ID (T=100°C)
130A
ID (T=25°C)
190A
Idss (maks.)
250uA
On-resistance Rds On
2.7M Ohms
Hus
D2PAK ( TO-263 )
Hus (i henhold til datablad)
D2PAK ( TO-263 )
Spænding Vds (maks.)
40V
Afløbskildebeskyttelse
ja
Antal terminaler
3
C (i)
4340pF
Driftstemperatur
-55...+175°C
Funktion
AUTOMOTIVE MOSFET
GS-beskyttelse
ingen
Gate / kilde spænding Vgs
20V
IDss (min)
20uA
Id(imp)
750A
Kanaltype
N
Montering / installation
overflademonteret komponent (SMD)
Mængde pr tilfælde
1
Omkostninger)
1030pF
Pd (Strømafledning, maks.) )
220W
RoHS
ja
Td(fra)
36ns
Td(on)
18 ns
Teknologi
HEXFET Power MOSFET
Trr-diode (min.)
28 ns
Type transistor
MOSFET
Vgs (th) maks.
4 v
Vgs (th) min.
2V
Originalt produkt fra producenten
International Rectifier