N-kanal transistor IRF1405ZPBF, 110A, 150A, 250uA, 0.0037 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V

N-kanal transistor IRF1405ZPBF, 110A, 150A, 250uA, 0.0037 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V

Antal
Enhedspris
1-4
20.41kr
5-24
17.30kr
25-49
15.17kr
50-99
13.79kr
100+
11.83kr
Antal på lager: 63

N-kanal transistor IRF1405ZPBF, 110A, 150A, 250uA, 0.0037 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V. ID (T=100°C): 110A. ID (T=25°C): 150A. Idss (maks.): 250uA. On-resistance Rds On: 0.0037 Ohms. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220AB. Spænding Vds (maks.): 55V. Afløbskildebeskyttelse: ja. Antal terminaler: 3. C (i): 4780pF. Driftstemperatur: -55...+175°C. Funktion: Højhastighedsskift. GS-beskyttelse: ingen. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. IDss (min): 20uA. Id(imp): 600A. Kanaltype: N. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort. Mængde pr tilfælde: 1. Omkostninger): 770pF. Pd (Strømafledning, maks.) ): 230W. RoHS: ja. Spec info: Rds-on 0.0037 Ohms max. Td(fra): 48 ns. Td(on): 18 ns. Teknologi: HEXFET Power MOSFET. Trr-diode (min.): 30 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs (th) maks.: 4 v. Vgs (th) min.: 2V. Originalt produkt fra producenten: Infineon Technologies. Antal på lager opdateret den 07/11/2025, 22:43

IRF1405ZPBF
31 parametre
ID (T=100°C)
110A
ID (T=25°C)
150A
Idss (maks.)
250uA
On-resistance Rds On
0.0037 Ohms
Hus
TO-220
Hus (i henhold til datablad)
TO-220AB
Spænding Vds (maks.)
55V
Afløbskildebeskyttelse
ja
Antal terminaler
3
C (i)
4780pF
Driftstemperatur
-55...+175°C
Funktion
Højhastighedsskift
GS-beskyttelse
ingen
Gate / kilde spænding Vgs
20V
IDss (min)
20uA
Id(imp)
600A
Kanaltype
N
Montering / installation
Gennemgående hulmontering af printkort
Mængde pr tilfælde
1
Omkostninger)
770pF
Pd (Strømafledning, maks.) )
230W
RoHS
ja
Spec info
Rds-on 0.0037 Ohms max
Td(fra)
48 ns
Td(on)
18 ns
Teknologi
HEXFET Power MOSFET
Trr-diode (min.)
30 ns
Type transistor
MOSFET
Vgs (th) maks.
4 v
Vgs (th) min.
2V
Originalt produkt fra producenten
Infineon Technologies