N-kanal transistor IRF2805, 43A, 75A, 250uA, 3.9m Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V

N-kanal transistor IRF2805, 43A, 75A, 250uA, 3.9m Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V

Antal
Enhedspris
1-4
23.26kr
5-24
20.79kr
25-49
18.89kr
50-99
17.50kr
100+
15.21kr
Antal på lager: 57

N-kanal transistor IRF2805, 43A, 75A, 250uA, 3.9m Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V. ID (T=100°C): 43A. ID (T=25°C): 75A. Idss (maks.): 250uA. On-resistance Rds On: 3.9m Ohms. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220AB. Spænding Vds (maks.): 55V. Afløbskildebeskyttelse: zener diode. Antal terminaler: 3. C (i): 5110pF. Driftstemperatur: -55...+175°C. Funktion: Hurtig skift, bilapplikationer. GS-beskyttelse: ingen. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. IDss (min): 20uA. Id(imp): 700A. Kanaltype: N. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort. Mængde pr tilfælde: 1. Omkostninger): 1190pF. Pd (Strømafledning, maks.) ): 330W. RoHS: ja. Td(fra): 68 ns. Td(on): 14 ns. Teknologi: HEXFET Power MOSFET. Trr-diode (min.): 80 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs (th) maks.: 4 v. Vgs (th) min.: 2V. Originalt produkt fra producenten: International Rectifier. Antal på lager opdateret den 07/11/2025, 22:43

Teknisk dokumentation (PDF)
IRF2805
30 parametre
ID (T=100°C)
43A
ID (T=25°C)
75A
Idss (maks.)
250uA
On-resistance Rds On
3.9m Ohms
Hus
TO-220
Hus (i henhold til datablad)
TO-220AB
Spænding Vds (maks.)
55V
Afløbskildebeskyttelse
zener diode
Antal terminaler
3
C (i)
5110pF
Driftstemperatur
-55...+175°C
Funktion
Hurtig skift, bilapplikationer
GS-beskyttelse
ingen
Gate / kilde spænding Vgs
20V
IDss (min)
20uA
Id(imp)
700A
Kanaltype
N
Montering / installation
Gennemgående hulmontering af printkort
Mængde pr tilfælde
1
Omkostninger)
1190pF
Pd (Strømafledning, maks.) )
330W
RoHS
ja
Td(fra)
68 ns
Td(on)
14 ns
Teknologi
HEXFET Power MOSFET
Trr-diode (min.)
80 ns
Type transistor
MOSFET
Vgs (th) maks.
4 v
Vgs (th) min.
2V
Originalt produkt fra producenten
International Rectifier