N-kanal transistor IRF2807, 43A, 82A, 250uA, 13m Ohms, TO-220, TO-220AB, 75V

N-kanal transistor IRF2807, 43A, 82A, 250uA, 13m Ohms, TO-220, TO-220AB, 75V

Antal
Enhedspris
1-4
14.69kr
5-24
12.57kr
25-49
11.13kr
50-99
9.92kr
100+
8.65kr
Antal på lager: 68

N-kanal transistor IRF2807, 43A, 82A, 250uA, 13m Ohms, TO-220, TO-220AB, 75V. ID (T=100°C): 43A. ID (T=25°C): 82A. Idss (maks.): 250uA. On-resistance Rds On: 13m Ohms. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220AB. Spænding Vds (maks.): 75V. Afløbskildebeskyttelse: ja. Antal terminaler: 3. C (i): 3850pF. Driftstemperatur: -55...+175°C. Funktion: Højhastighedsskift. GS-beskyttelse: ingen. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. IDss (min): 25uA. Id(imp): 280A. Kanaltype: N. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort. Mængde pr tilfælde: 1. Omkostninger): 610pF. Pd (Strømafledning, maks.) ): 230W. RoHS: ja. Td(fra): 49 ns. Td(on): 13 ns. Teknologi: HEXFET Power MOSFET. Trr-diode (min.): 100 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs (th) maks.: 4 v. Vgs (th) min.: 2V. Originalt produkt fra producenten: International Rectifier. Antal på lager opdateret den 07/11/2025, 22:43

Teknisk dokumentation (PDF)
IRF2807
30 parametre
ID (T=100°C)
43A
ID (T=25°C)
82A
Idss (maks.)
250uA
On-resistance Rds On
13m Ohms
Hus
TO-220
Hus (i henhold til datablad)
TO-220AB
Spænding Vds (maks.)
75V
Afløbskildebeskyttelse
ja
Antal terminaler
3
C (i)
3850pF
Driftstemperatur
-55...+175°C
Funktion
Højhastighedsskift
GS-beskyttelse
ingen
Gate / kilde spænding Vgs
20V
IDss (min)
25uA
Id(imp)
280A
Kanaltype
N
Montering / installation
Gennemgående hulmontering af printkort
Mængde pr tilfælde
1
Omkostninger)
610pF
Pd (Strømafledning, maks.) )
230W
RoHS
ja
Td(fra)
49 ns
Td(on)
13 ns
Teknologi
HEXFET Power MOSFET
Trr-diode (min.)
100 ns
Type transistor
MOSFET
Vgs (th) maks.
4 v
Vgs (th) min.
2V
Originalt produkt fra producenten
International Rectifier