N-kanal transistor IRF2903ZS, 180A, 260A, 250uA, 0.019 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 30 v

N-kanal transistor IRF2903ZS, 180A, 260A, 250uA, 0.019 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 30 v

Antal
Enhedspris
1-4
38.18kr
5-24
35.32kr
25-49
32.75kr
50-99
30.81kr
100+
27.43kr
Antal på lager: 7

N-kanal transistor IRF2903ZS, 180A, 260A, 250uA, 0.019 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 30 v. ID (T=100°C): 180A. ID (T=25°C): 260A. Idss (maks.): 250uA. On-resistance Rds On: 0.019 Ohms. Hus: D2PAK ( TO-263 ). Hus (i henhold til datablad): D2PAK ( TO-263 ). Spænding Vds (maks.): 30 v. Afløbskildebeskyttelse: ja. C (i): 6320pF. Driftstemperatur: -55...+175°C. Funktion: AUTOMOTIVE MOSFET. GS-beskyttelse: ingen. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. IDss (min): 20uA. Id(imp): 1020A. Kanaltype: N. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD). Mængde pr tilfælde: 1. Omkostninger): 1980pF. Pd (Strømafledning, maks.) ): 290W. RoHS: ja. Td(fra): 48 ns. Td(on): 24 ns. Teknologi: HEXFET Power MOSFET. Type transistor: MOSFET. Vgs (th) maks.: 4 v. Vgs (th) min.: 2V. Originalt produkt fra producenten: International Rectifier. Antal på lager opdateret den 07/11/2025, 22:43

Teknisk dokumentation (PDF)
IRF2903ZS
28 parametre
ID (T=100°C)
180A
ID (T=25°C)
260A
Idss (maks.)
250uA
On-resistance Rds On
0.019 Ohms
Hus
D2PAK ( TO-263 )
Hus (i henhold til datablad)
D2PAK ( TO-263 )
Spænding Vds (maks.)
30 v
Afløbskildebeskyttelse
ja
C (i)
6320pF
Driftstemperatur
-55...+175°C
Funktion
AUTOMOTIVE MOSFET
GS-beskyttelse
ingen
Gate / kilde spænding Vgs
20V
IDss (min)
20uA
Id(imp)
1020A
Kanaltype
N
Montering / installation
overflademonteret komponent (SMD)
Mængde pr tilfælde
1
Omkostninger)
1980pF
Pd (Strømafledning, maks.) )
290W
RoHS
ja
Td(fra)
48 ns
Td(on)
24 ns
Teknologi
HEXFET Power MOSFET
Type transistor
MOSFET
Vgs (th) maks.
4 v
Vgs (th) min.
2V
Originalt produkt fra producenten
International Rectifier