N-kanal transistor IRF3205S, 80A, 110A, 250nA, 0.008 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 55V. ID (T=100°C): 80A. ID (T=25°C): 110A. Idss (maks.): 250nA. On-resistance Rds On: 0.008 Ohms. Hus: D2PAK ( TO-263 ). Hus (i henhold til datablad): D2PAK ( TO-263 ). Spænding Vds (maks.): 55V. Afløbskildebeskyttelse: ja. Antal terminaler: 2. C (i): 3247pF. Driftstemperatur: -55...+175°C. Funktion: Avanceret procesteknologi. GS-beskyttelse: ingen. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. IDss (min): 25nA. Id(imp): 390A. Kanaltype: N. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD). Mængde pr tilfælde: 1. Omkostninger): 781pF. Pd (Strømafledning, maks.) ): 200W. RoHS: ja. Td(fra): 50 ns. Td(on): 14 ns. Teknologi: HEXFET Power MOSFET. Trr-diode (min.): 69 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs (th) min.: 2V. Ækvivalenter: IRF3205SPBF. Originalt produkt fra producenten: International Rectifier. Antal på lager opdateret den 07/11/2025, 22:43