N-kanal transistor IRF3415PBF, 150V, 0.042 Ohms
Antal
Enhedspris
1-4
33.04kr
5-9
23.87kr
10-19
22.50kr
20-49
21.62kr
50+
20.74kr
| +20 ekstra varer tilgængelige på lager (leveres inden for 4 timer). Kontakt os for priser og tilgængelighed! | |
| Antal på lager: 10 |
N-kanal transistor IRF3415PBF, 150V, 0.042 Ohms. Drain-source spænding (Vds): 150V. On-resistance Rds On: 0.042 Ohms. : Forbedret. Drænkildespænding: 150V. Effekt: 200W. Emballage: tubus. Gate-source spænding: ±20V. Kanaltype: N. Max drænstrøm: 43A. Montering / installation: THT. Oplade: 133.3nC. Polaritet: unipolar. Teknologi: HEXFET®. Type transistor: N-MOSFET. Tøm strøm: 43A. Originalt produkt fra producenten: Infineon Technologies. Antal på lager opdateret den 07/11/2025, 22:43
IRF3415PBF
16 parametre
Drain-source spænding (Vds)
150V
On-resistance Rds On
0.042 Ohms
Forbedret
Drænkildespænding
150V
Effekt
200W
Emballage
tubus
Gate-source spænding
±20V
Kanaltype
N
Max drænstrøm
43A
Montering / installation
THT
Oplade
133.3nC
Polaritet
unipolar
Teknologi
HEXFET®
Type transistor
N-MOSFET
Tøm strøm
43A
Originalt produkt fra producenten
Infineon Technologies