N-kanal transistor IRF3710, 28A, 57A, 250uA, 23m Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V

N-kanal transistor IRF3710, 28A, 57A, 250uA, 23m Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V

Antal
Enhedspris
1-4
15.68kr
5-24
13.17kr
25-49
11.70kr
50-99
10.55kr
100+
9.15kr
Antal på lager: 68

N-kanal transistor IRF3710, 28A, 57A, 250uA, 23m Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. ID (T=100°C): 28A. ID (T=25°C): 57A. Idss (maks.): 250uA. On-resistance Rds On: 23m Ohms. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220AB. Spænding Vds (maks.): 100V. Afløbskildebeskyttelse: zener diode. Antal terminaler: 3. C (i): 3230pF. Driftstemperatur: -55...+175°C. GS-beskyttelse: ingen. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. IDss (min): 25uA. Id(imp): 180A. Kanaltype: N. Konditionering: plastrør. Konditioneringsenhed: 50. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort. Mængde pr tilfælde: 1. Omkostninger): 420pF. Pd (Strømafledning, maks.) ): 200W. RoHS: ja. Spec info: Dynamic dv/dt Rating. Td(fra): 49 ns. Td(on): 12 ns. Teknologi: HEXFET® Power MOSFET. Trr-diode (min.): 130 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs (th) maks.: 4 v. Vgs (th) min.: 2V. Originalt produkt fra producenten: International Rectifier. Antal på lager opdateret den 02/01/2026, 11:56

Teknisk dokumentation (PDF)
IRF3710
32 parametre
ID (T=100°C)
28A
ID (T=25°C)
57A
Idss (maks.)
250uA
On-resistance Rds On
23m Ohms
Hus
TO-220
Hus (i henhold til datablad)
TO-220AB
Spænding Vds (maks.)
100V
Afløbskildebeskyttelse
zener diode
Antal terminaler
3
C (i)
3230pF
Driftstemperatur
-55...+175°C
GS-beskyttelse
ingen
Gate / kilde spænding Vgs
20V
IDss (min)
25uA
Id(imp)
180A
Kanaltype
N
Konditionering
plastrør
Konditioneringsenhed
50
Montering / installation
Gennemgående hulmontering af printkort
Mængde pr tilfælde
1
Omkostninger)
420pF
Pd (Strømafledning, maks.) )
200W
RoHS
ja
Spec info
Dynamic dv/dt Rating
Td(fra)
49 ns
Td(on)
12 ns
Teknologi
HEXFET® Power MOSFET
Trr-diode (min.)
130 ns
Type transistor
MOSFET
Vgs (th) maks.
4 v
Vgs (th) min.
2V
Originalt produkt fra producenten
International Rectifier