N-kanal transistor IRF3710S, 40A, 57A, 250uA, 0.025 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 100V

N-kanal transistor IRF3710S, 40A, 57A, 250uA, 0.025 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 100V

Antal
Enhedspris
1-4
25.58kr
5-24
22.30kr
25-49
19.70kr
50-99
17.48kr
100+
14.54kr
Antal på lager: 52

N-kanal transistor IRF3710S, 40A, 57A, 250uA, 0.025 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 100V. ID (T=100°C): 40A. ID (T=25°C): 57A. Idss (maks.): 250uA. On-resistance Rds On: 0.025 Ohms. Hus: D2PAK ( TO-263 ). Hus (i henhold til datablad): D2PAK ( TO-263 ). Spænding Vds (maks.): 100V. Afløbskildebeskyttelse: zener diode. Antal terminaler: 2. C (i): 3000pF. Funktion: Højhastighedsskift. GS-beskyttelse: ingen. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. IDss (min): 25uA. Id(imp): 180A. Kanaltype: N. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD). Mængde pr tilfælde: 1. Omkostninger): 640pF. Pd (Strømafledning, maks.) ): 200W. RoHS: ja. Td(fra): 58 ns. Td(on): 14 ns. Teknologi: HEXFET Power MOSFET. Trr-diode (min.): 210 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs (th) maks.: 4 v. Vgs (th) min.: 2V. Originalt produkt fra producenten: International Rectifier. Antal på lager opdateret den 07/11/2025, 22:43

Teknisk dokumentation (PDF)
IRF3710S
29 parametre
ID (T=100°C)
40A
ID (T=25°C)
57A
Idss (maks.)
250uA
On-resistance Rds On
0.025 Ohms
Hus
D2PAK ( TO-263 )
Hus (i henhold til datablad)
D2PAK ( TO-263 )
Spænding Vds (maks.)
100V
Afløbskildebeskyttelse
zener diode
Antal terminaler
2
C (i)
3000pF
Funktion
Højhastighedsskift
GS-beskyttelse
ingen
Gate / kilde spænding Vgs
20V
IDss (min)
25uA
Id(imp)
180A
Kanaltype
N
Montering / installation
overflademonteret komponent (SMD)
Mængde pr tilfælde
1
Omkostninger)
640pF
Pd (Strømafledning, maks.) )
200W
RoHS
ja
Td(fra)
58 ns
Td(on)
14 ns
Teknologi
HEXFET Power MOSFET
Trr-diode (min.)
210 ns
Type transistor
MOSFET
Vgs (th) maks.
4 v
Vgs (th) min.
2V
Originalt produkt fra producenten
International Rectifier