N-kanal transistor IRF3710Z, TO220, TO220AB
Antal
Enhedspris
1-9
25.74kr
10-49
16.08kr
50-99
15.15kr
100-199
14.80kr
200+
14.46kr
| Antal på lager: 5 |
N-kanal transistor IRF3710Z, TO220, TO220AB. Hus: TO220, TO220AB. Boliger termisk modstand: 920mK/W. Drænkildespænding: 100V. Effekt: 160W. Gate-source spænding: 20V, ±20V. Konditionering: tubus. Montering / installation: THT. Oplade: 82nC. Polaritet: unipolar. RoHS: ja. Teknologi: HEXFET®. Type transistor: N-MOSFET, HEXFET. Tøm strøm: 59A. Originalt produkt fra producenten: Infineon (irf). Antal på lager opdateret den 07/11/2025, 22:43
IRF3710Z
14 parametre
Hus
TO220, TO220AB
Boliger termisk modstand
920mK/W
Drænkildespænding
100V
Effekt
160W
Gate-source spænding
20V, ±20V
Konditionering
tubus
Montering / installation
THT
Oplade
82nC
Polaritet
unipolar
RoHS
ja
Teknologi
HEXFET®
Type transistor
N-MOSFET, HEXFET
Tøm strøm
59A
Originalt produkt fra producenten
Infineon (irf)