N-kanal transistor IRF3711S, 69A, 110A, 100uA, 4.7M Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 20V

N-kanal transistor IRF3711S, 69A, 110A, 100uA, 4.7M Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 20V

Antal
Enhedspris
1-4
17.14kr
5-24
14.91kr
25-49
13.30kr
50+
11.70kr
Antal på lager: 39

N-kanal transistor IRF3711S, 69A, 110A, 100uA, 4.7M Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 20V. ID (T=100°C): 69A. ID (T=25°C): 110A. Idss (maks.): 100uA. On-resistance Rds On: 4.7M Ohms. Hus: D2PAK ( TO-263 ). Hus (i henhold til datablad): D2PAK ( TO-263 ). Spænding Vds (maks.): 20V. Afløbskildebeskyttelse: zener diode. Antal terminaler: 2. C (i): 2980pF. Funktion: Højfrekvent isoleret DC-DC. GS-beskyttelse: ingen. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. IDss (min): 20uA. Id(imp): 440A. Kanaltype: N. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD). Mængde pr tilfælde: 1. Omkostninger): 1770pF. Pd (Strømafledning, maks.) ): 120W. RoHS: ja. Td(fra): 17 ns. Td(on): 12 ns. Teknologi: HEXFET Power MOSFET. Temperatur: +150°C. Trr-diode (min.): 48 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs (th) maks.: 3V. Vgs (th) min.: 1V. Originalt produkt fra producenten: International Rectifier. Antal på lager opdateret den 07/11/2025, 22:43

Teknisk dokumentation (PDF)
IRF3711S
30 parametre
ID (T=100°C)
69A
ID (T=25°C)
110A
Idss (maks.)
100uA
On-resistance Rds On
4.7M Ohms
Hus
D2PAK ( TO-263 )
Hus (i henhold til datablad)
D2PAK ( TO-263 )
Spænding Vds (maks.)
20V
Afløbskildebeskyttelse
zener diode
Antal terminaler
2
C (i)
2980pF
Funktion
Højfrekvent isoleret DC-DC
GS-beskyttelse
ingen
Gate / kilde spænding Vgs
20V
IDss (min)
20uA
Id(imp)
440A
Kanaltype
N
Montering / installation
overflademonteret komponent (SMD)
Mængde pr tilfælde
1
Omkostninger)
1770pF
Pd (Strømafledning, maks.) )
120W
RoHS
ja
Td(fra)
17 ns
Td(on)
12 ns
Teknologi
HEXFET Power MOSFET
Temperatur
+150°C
Trr-diode (min.)
48 ns
Type transistor
MOSFET
Vgs (th) maks.
3V
Vgs (th) min.
1V
Originalt produkt fra producenten
International Rectifier