N-kanal transistor IRF3711ZS, 65A, 92A, 150uA, 0.0048 Ohm, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 20V

N-kanal transistor IRF3711ZS, 65A, 92A, 150uA, 0.0048 Ohm, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 20V

Antal
Enhedspris
1-4
21.85kr
5-24
19.00kr
25-49
17.57kr
50+
15.83kr
Antal på lager: 2

N-kanal transistor IRF3711ZS, 65A, 92A, 150uA, 0.0048 Ohm, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 20V. ID (T=100°C): 65A. ID (T=25°C): 92A. Idss (maks.): 150uA. On-resistance Rds On: 0.0048 Ohm. Hus: D2PAK ( TO-263 ). Hus (i henhold til datablad): D2PAK ( TO-263 ). Spænding Vds (maks.): 20V. Afløbskildebeskyttelse: zener diode. Antal terminaler: 2. C (i): 2150pF. Driftstemperatur: -55...+175°C. Funktion: Højfrekvent Synchronous Buck. GS-beskyttelse: ingen. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. IDss (min): 1uA. Id(imp): 380A. Kanaltype: N. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD). Mængde pr tilfælde: 1. Omkostninger): 680pF. Pd (Strømafledning, maks.) ): 79W. RoHS: ja. Td(fra): 15 ns. Td(on): 12 ns. Teknologi: HEXFET Power MOSFET. Trr-diode (min.): 16 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs (th) maks.: 2.45V. Vgs (th) min.: 1.55V. Originalt produkt fra producenten: International Rectifier. Antal på lager opdateret den 07/11/2025, 22:43

Teknisk dokumentation (PDF)
IRF3711ZS
30 parametre
ID (T=100°C)
65A
ID (T=25°C)
92A
Idss (maks.)
150uA
On-resistance Rds On
0.0048 Ohm
Hus
D2PAK ( TO-263 )
Hus (i henhold til datablad)
D2PAK ( TO-263 )
Spænding Vds (maks.)
20V
Afløbskildebeskyttelse
zener diode
Antal terminaler
2
C (i)
2150pF
Driftstemperatur
-55...+175°C
Funktion
Højfrekvent Synchronous Buck
GS-beskyttelse
ingen
Gate / kilde spænding Vgs
20V
IDss (min)
1uA
Id(imp)
380A
Kanaltype
N
Montering / installation
overflademonteret komponent (SMD)
Mængde pr tilfælde
1
Omkostninger)
680pF
Pd (Strømafledning, maks.) )
79W
RoHS
ja
Td(fra)
15 ns
Td(on)
12 ns
Teknologi
HEXFET Power MOSFET
Trr-diode (min.)
16 ns
Type transistor
MOSFET
Vgs (th) maks.
2.45V
Vgs (th) min.
1.55V
Originalt produkt fra producenten
International Rectifier