N-kanal transistor IRF510, TO-220, 4A, 5.6A, 250uA, 0.54 Ohms, TO-220AB, 100V. Hus: TO-220. ID (T=100°C): 4A. ID (T=25°C): 5.6A. Idss (maks.): 250uA. On-resistance Rds On: 0.54 Ohms. Hus (i henhold til datablad): TO-220AB. Spænding Vds (maks.): 100V. Afløbskildebeskyttelse: diode. C (i): 180pF. Driftstemperatur: -55...+175°C. Drænkildespænding: 100V. Effekt: 43W. Funktion: -. GS-beskyttelse: ingen. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. Gate-source spænding: ±20V. IDss (min): 25uA. Id(imp): 20A. Kanaltype: N. Konditionering: tubus. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort. Mængde pr tilfælde: 1. Omkostninger): 81pF. On-state modstand: 0.54 Ohms. Oplade: 8.3nC. Pd (Strømafledning, maks.) ): 43W. Polaritet: unipolar. RoHS: ja. Td(fra): 15 ns. Td(on): 6.9ns. Teknologi: HEXFET Power MOSFET. Trr-diode (min.): 100 ns. Type transistor: MOSFET. Tøm strøm: 4A, 5.6A. Vgs (th) maks.: 4 v. Vgs (th) min.: 2V. Originalt produkt fra producenten: International Rectifier. Antal på lager opdateret den 07/11/2025, 22:43