N-kanal transistor IRF510PBF, TO220AB, 100V, 100V, 0.54 Ohms, 100V. Hus: TO220AB. Vdss (Dræn til kildespænding): 100V. Drain-source spænding (Vds): 100V. Hus (JEDEC-standard): -. On-resistance Rds On: 0.54 Ohms. Drain-source spænding Uds [V]: 100V. Antal terminaler: 3. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 180pF. Dræn strøm gennem modstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.54 Ohms @ 3.4A. Effekt: 43W. Funktioner: -. Id @ Tc=25°C (kontinuerlig drænstrøm): 5.6A. Indkoblingstid ton [nsec.]: 7 ns. Information: -. Kanaltype: N. Komponentfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort. Kør spænding: 10V. MSL: -. Maksimal dissipation Ptot [W]: 43W. Max drænstrøm: 5.6A. Max temperatur: +175°C.. Monteringstype: THT. Pd (Strømafledning, maks.) ): 43W. Polaritet: MOSFET N. Port/kildespænding Vgs max: -20V. Portnedbrudsspænding Ugs [V]: 4 v. Producentens mærkning: IRF510PBF. RoHS: ja. Serie: IRF. Slukningsforsinkelse tf[nsec.]: 15 ns. Type transistor: MOSFET effekttransistor. Tøm nuværende ID (A) @ 25 ° C: 5.6A. Originalt produkt fra producenten: Vishay (ir). Antal på lager opdateret den 07/11/2025, 22:43