N-kanal transistor IRF530PBF, 100V, 100V, 0.16 Ohms, TO220AB
Antal
Enhedspris
5-9
9.84kr
10-49
9.51kr
50-199
8.48kr
200-799
7.86kr
800+
7.17kr
| +131 ekstra varer tilgængelige på lager (leveres inden for 4 timer). Kontakt os for priser og tilgængelighed! | |
| Antal på lager: 47 |
N-kanal transistor IRF530PBF, 100V, 100V, 0.16 Ohms, TO220AB. Vdss (Dræn til kildespænding): 100V. Drain-source spænding (Vds): 100V. On-resistance Rds On: 0.16 Ohms. Hus: TO220AB. Effekt: 75W. Funktioner: -. Id @ Tc=25°C (kontinuerlig drænstrøm): 14A. Information: -. Kanaltype: N. Kør spænding: 10V. MSL: -. Max drænstrøm: 14A. Monteringstype: THT. Pd (Strømafledning, maks.) ): 79W. Polaritet: MOSFET N. Port/kildespænding Vgs max: -20V. Serie: -. Type transistor: MOSFET effekttransistor. Originalt produkt fra producenten: VISHAY IR. Minimumsmængde: 5. Antal på lager opdateret den 07/11/2025, 22:43
IRF530PBF
16 parametre
Vdss (Dræn til kildespænding)
100V
Drain-source spænding (Vds)
100V
On-resistance Rds On
0.16 Ohms
Hus
TO220AB
Effekt
75W
Id @ Tc=25°C (kontinuerlig drænstrøm)
14A
Kanaltype
N
Kør spænding
10V
Max drænstrøm
14A
Monteringstype
THT
Pd (Strømafledning, maks.) )
79W
Polaritet
MOSFET N
Port/kildespænding Vgs max
-20V
Type transistor
MOSFET effekttransistor
Originalt produkt fra producenten
VISHAY IR
Minimumsmængde
5