N-kanal transistor IRF540N, TO-220, 23A, 33A, 250uA, 0.044 Ohms, TO-220AB, 100V

N-kanal transistor IRF540N, TO-220, 23A, 33A, 250uA, 0.044 Ohms, TO-220AB, 100V

Antal
Enhedspris
1-4
10.53kr
5-24
8.92kr
25-49
7.80kr
50-99
6.98kr
100+
6.21kr
+25 ekstra varer tilgængelige på lager (leveres inden for 4 timer). Kontakt os for priser og tilgængelighed!
Antal på lager: 371

N-kanal transistor IRF540N, TO-220, 23A, 33A, 250uA, 0.044 Ohms, TO-220AB, 100V. Hus: TO-220. ID (T=100°C): 23A. ID (T=25°C): 33A. Idss (maks.): 250uA. On-resistance Rds On: 0.044 Ohms. Hus (i henhold til datablad): TO-220AB. Spænding Vds (maks.): 100V. Afløbskildebeskyttelse: ja. Antal terminaler: 3. Boliger termisk modstand: 1.1K/W. C (i): 1960pF. Driftstemperatur: -55...+175°C. Drænkildespænding: 100V. Effekt: 140W. Funktion: Højhastighedsskift. GS-beskyttelse: ingen. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. Gate-source spænding: 20V, ±20V. IDss (min): 25uA. Id(imp): 110A. Kanaltype: N. Konditionering: tubus. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort. Mængde pr tilfælde: 1. Omkostninger): 250pF. Oplade: 47.3nC. Pd (Strømafledning, maks.) ): 130W. Polaritet: unipolar. RoHS: ja. Td(fra): 39 ns. Td(on): 11 ns. Teknologi: HEXFET Power MOSFET. Trr-diode (min.): 115 ns. Type transistor: MOSFET. Tøm strøm: 33A. Vgs (th) maks.: 4 v. Vgs (th) min.: 2V. Originalt produkt fra producenten: International Rectifier. Antal på lager opdateret den 06/11/2025, 22:14

Teknisk dokumentation (PDF)
IRF540N
38 parametre
Hus
TO-220
ID (T=100°C)
23A
ID (T=25°C)
33A
Idss (maks.)
250uA
On-resistance Rds On
0.044 Ohms
Hus (i henhold til datablad)
TO-220AB
Spænding Vds (maks.)
100V
Afløbskildebeskyttelse
ja
Antal terminaler
3
Boliger termisk modstand
1.1K/W
C (i)
1960pF
Driftstemperatur
-55...+175°C
Drænkildespænding
100V
Effekt
140W
Funktion
Højhastighedsskift
GS-beskyttelse
ingen
Gate / kilde spænding Vgs
20V
Gate-source spænding
20V, ±20V
IDss (min)
25uA
Id(imp)
110A
Kanaltype
N
Konditionering
tubus
Montering / installation
Gennemgående hulmontering af printkort
Mængde pr tilfælde
1
Omkostninger)
250pF
Oplade
47.3nC
Pd (Strømafledning, maks.) )
130W
Polaritet
unipolar
RoHS
ja
Td(fra)
39 ns
Td(on)
11 ns
Teknologi
HEXFET Power MOSFET
Trr-diode (min.)
115 ns
Type transistor
MOSFET
Tøm strøm
33A
Vgs (th) maks.
4 v
Vgs (th) min.
2V
Originalt produkt fra producenten
International Rectifier