N-kanal transistor IRF540NS, 25A, 33A, 250uA, 0.052 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 100V

N-kanal transistor IRF540NS, 25A, 33A, 250uA, 0.052 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 100V

Antal
Enhedspris
1-4
10.77kr
5-24
9.29kr
25-49
8.29kr
50-99
7.27kr
100+
5.98kr
Antal på lager: 50

N-kanal transistor IRF540NS, 25A, 33A, 250uA, 0.052 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 100V. ID (T=100°C): 25A. ID (T=25°C): 33A. Idss (maks.): 250uA. On-resistance Rds On: 0.052 Ohms. Hus: D2PAK ( TO-263 ). Hus (i henhold til datablad): D2PAK ( TO-263 ). Spænding Vds (maks.): 100V. Afløbskildebeskyttelse: ja. Antal terminaler: 2. C (i): 1400pF. Driftstemperatur: -55...+175°C. GS-beskyttelse: ingen. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. IDss (min): 25uA. Id(imp): 110A. Kanaltype: N. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD). Mængde pr tilfælde: 1. Omkostninger): 330pF. Pd (Strømafledning, maks.) ): 140W. RoHS: ja. Td(fra): 44 ns. Td(on): 8.2 ns. Teknologi: HEXFET Power MOSFET. Trr-diode (min.): 170 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs (th) maks.: 4 v. Vgs (th) min.: 2V. Ækvivalenter: IRF540NSPBF. Originalt produkt fra producenten: International Rectifier. Antal på lager opdateret den 07/11/2025, 22:43

Teknisk dokumentation (PDF)
IRF540NS
30 parametre
ID (T=100°C)
25A
ID (T=25°C)
33A
Idss (maks.)
250uA
On-resistance Rds On
0.052 Ohms
Hus
D2PAK ( TO-263 )
Hus (i henhold til datablad)
D2PAK ( TO-263 )
Spænding Vds (maks.)
100V
Afløbskildebeskyttelse
ja
Antal terminaler
2
C (i)
1400pF
Driftstemperatur
-55...+175°C
GS-beskyttelse
ingen
Gate / kilde spænding Vgs
20V
IDss (min)
25uA
Id(imp)
110A
Kanaltype
N
Montering / installation
overflademonteret komponent (SMD)
Mængde pr tilfælde
1
Omkostninger)
330pF
Pd (Strømafledning, maks.) )
140W
RoHS
ja
Td(fra)
44 ns
Td(on)
8.2 ns
Teknologi
HEXFET Power MOSFET
Trr-diode (min.)
170 ns
Type transistor
MOSFET
Vgs (th) maks.
4 v
Vgs (th) min.
2V
Ækvivalenter
IRF540NSPBF
Originalt produkt fra producenten
International Rectifier